[发明专利]半导体装置及其制造方法、电路基板和电子机器

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法、电路基板和电子机器，涉及连接可靠性高的半导体装置及其制造方法、搭载有该半导体装置的电路基板和具有该半导体装置的电子机器。

背景技术

为了高密度地安装半导体装置，希望进行不使半导体芯片封装而以原样的状态安装的裸芯片安装。但是，以裸芯片安装对半导体芯片的保护十分不利，操作也困难。因此，提出使用CSP(Chip Size Package芯片尺寸的封装)的半导体装置，特别是近年开发了由晶片进行切割(切断)的晶片原样成为半导体装置的晶片级CSP。在该晶片级CSP中，在形成微小的晶体管等的硅晶片的表面上形成树脂层或配线，通过将该硅晶片切断成各个半导体装置，以制造半导体装置。

在现有的适用晶片级CSP的半导体装置的制造方法中，当硅晶片的表面上形成树脂层时，使被切割的部分不形成树脂层那样进行，以便防止半导体装置端部缺口或树脂层剥离(例如，参照特许文献1)。

【专利文献1】国际公开第01/071805号小册子(图1、图14)

发明内容

但是，在现有的适用晶片级CSP的半导体装置的制造方法(例如，参照专利文献1)中，在半导体元件的中心附近形成树脂层及外部端子，使配线从在半导体元件的外周部形成的电极延伸到该外部端子而进行连接。这时，从电极向着半导体元件的中心方向延伸配线、直接与外部端子连接时，因半导体装置产生的应力等，存在与配线的外部端子连接的部分容易断线的问题。特别是晶片级CSP的情况下，形成配线的外部端子的部分(称为岸面的部分)大，有时该岸面附带的根断线。

另外，在现有的适用晶片级CSP的半导体装置的制造方法(例如，参照专利文献1)中，由于越从半导体元件的中心偏离、应力就越大，所以芯片尺寸大时，存在在半导体元件的外周部形成的岸面附带的根容易断线的问题。

另外，在该半导体装置的制造方法中，由于使配线从在半导体元件的表面上形成的电极延伸到树脂层上而形成，配线存在阶差，所以存在细密配线困难的问题。

本发明的目的在于，提供一种可以相应于大型芯片、通过细密配线形成多个外部端子、而且连接可靠性高的半导体装置。其目的还在于，提供该半导体装置的制造方法、搭载了该连接可靠性高的半导体装置的电路基板和具有该半导体装置的电子机器。

本发明的半导体装置是在具有多个电极的半导体元件上形成1层或多层树脂层、与电极电连接的多个配线和与该配线电连接的多个外部端子的半导体装置，其中，该多个配线的一部分或全部由从与电极连接的部分向着半导体元件的中心方向的第1配线部，和与该第1配线部连接、从半导体元件的中心方向向着外侧与外部端子连接的第2配线部所形成，在第1配线部和第2配线部之间至少形成有1层树脂层。

由于该多个配线的一部分或全部由从与电极连接的部分向着半导体元件的中心方向的第1配线部、和从半导体元件的中心方向向着外侧与外部端子连接的第2配线部形成，所以配线的纵断面形状成为コ字型，可以有效地缓和应力。另外，与配线的外部端子连接的部分在半导体元件的中心侧出来，即使在半导体装置发生应力的情况下，也可以防止配线与外部端子连接的部分发生断线。另外，由于第1配线部和第2配线部之间至少形成1层树脂层，所以可以进一步缓和配线中产生的应力，也就可以与伴随大型芯片化的应力的增大相对应。

另外，只要在树脂层上不形成第1配线部、不设阶差，就细密配线成为可能，形成多个外部端子。

另外，本发明的半导体装置，其上述半导体装置的封装方式是芯片·尺寸·封装。

在半导体装置的封装方式是芯片·尺寸·封装(CSP)的情况下，如上述那样，有配线与外部端子连接的部分发生断线的问题。因此，在芯片·尺寸·封装的半导体装置中，只要适用上述那样的结构的配线，就可以有效地防止配线的断线。

另外，本发明的半导体装置，其上述外部端子由焊球构成。

在芯片·尺寸·封装的半导体装置中，作为外部端子多数情况下使用焊球。由该焊球构成的外部端子形成配线的部分(称为岸面的部分)大，存在该岸面的附带的根断线的问题，但是通过形成上述结构的配线就可以防止岸面的附带的根的断线。

另外，本发明的半导体装置至少在1层树脂层上形成有用于连接第1配线部和第2配线部的穿孔(via hole)。

例如，只要在第1配线部和第2配线部之间形成的树脂层上形成用于连接它们的穿孔，就可以容易地连接第1配线部和第2配线部，还提高了连接的可靠性。

另外，本发明的半导体装置，通过切割切断由硅晶片构成的半导体元件的集合体，制造该半导体装置。