[发明专利]数据存取装置及数据存取方法无效
申请号: | 200910179280.6 | 申请日: | 2009-09-25 |
公开(公告)号: | CN102034537A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 穆忠恕 | 申请(专利权)人: | 慧荣科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/06;G11C16/10 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 易钊 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 数据 存取 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及数据存取技术领域,更具体地说,涉及一种使用镜射机制来提高存取速度并确保数据正确性的数据存取装置及数据存取方法。
背景技术
在旧有的储存装置中,通常利用错误更正码(Error Correcting Code,ECC)来保护储存在储存装置里的数据。举例来说,当发现储存在一储存装置中的数据有问题时,可利用与该数据相对应的ECC进行错误更正。然而,利用ECC进行的错误更正有其局限性,当大于一特定数据量(例如:N位)的错误发生时,便无法利用ECC对其进行更正。而且,在现代许多电子装置中,都使用较快速度的储存装置(如:闪存)来取代旧有的硬盘,而使用ECC来进行错误更正的作法会耗费相当多的时间,因此不符合现代装置对快速存取的需求。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种数据存取装置及数据存取方法,以提高闪存中数据的正确性以及数据的存取速度。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案之一是:构造一种数据存取装置,其包含:一闪存控制器;一镜射装置(means);以及一闪存,包含至少一数据区以及至少一镜射区,其中该镜射装置在该闪存控制器写入数据至该数据区时,复制该数据以形成镜射数据至该镜射区,且该闪存控制器在该数据被读取时,若判断该数据具有错误,则读取该镜射数据以取代该数据。
进一步地,上述本发明所述的数据存取装置,其中该镜射装置以韧体实施。
进一步地,上述本发明所述的数据存取装置,且该闪存控制器在该数据被读取时,若判断该数据具有错误时且该错误无法被修复时,才读取该镜射数据以取代该数据。
进一步地,上述本发明所述的数据存取装置,其中该闪存包含多个数据区以及多个镜射区,其中该闪存控制器在写入该数据至该闪存时,将该数据分散成多个部份以写入该些数据区,该镜射装置复制该数据的该些部份并存入该些镜射区。
进一步地,上述本发明所述的数据存取装置,其中该闪存包含多个镜射区,其中该闪存控制器将该镜射数据分散成多个部份并存入该些镜射区。
进一步地,上述本发明所述的数据存取装置,其中该闪存控制器读取该镜射数据并判断该镜射数据是否错误,若该镜射数据正确则以该镜射数据取代该数据。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案之二是:构造一种数据存取装置,包含:一闪存控制器;一镜射装置;一第一闪存,包含至少一数据区;以及一第二闪存,包含供该第一闪存使用的至少一镜射区;该镜射装置在该闪存控制器写入数据至该数据区时,复制该数据以形成镜射数据至该镜射区,且该闪存控制器在该数据被读取时,若判断该数据具有错误时,则读取该镜射数据以取代该数据。
进一步地,上述本发明所述的数据存取装置,其中该镜射装置以韧体实施。
进一步地,上述本发明所述的数据存取装置,且该闪存控制器在该数据被读取时,若判断该数据具有错误时且该错误无法被修复时,才读取该镜射数据以取代该数据。
进一步地,上述本发明所述的数据存取装置,其中该闪存包含多个数据区以及多个镜射区,其中该闪存控制器在写入该数据至该闪存时,将该数据分散成多个部份以写入该些数据区,该镜射装置复制该数据的该些部份并存入该些镜射区。
进一步地,上述本发明所述的数据存取装置,其中该闪存包含多个镜射区,其中该镜射装置将该镜射数据分散成多个部份并存入该些镜射区。
进一步地,上述本发明所述的数据存取装置,其中该镜射区涵盖了该第二闪存的所有储存空间。
进一步地,上述本发明所述的数据存取装置,其中该闪存控制器读取该镜射数据并判断该镜射数据是否错误,若该镜射数据正确则以该镜射数据取代该数据。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案之三是:构造一种数据存取装置,包含:一闪存控制器;一镜射装置;一第一闪存;一第二闪存,包含至少一数据区;以及一第三闪存,包含供该第二闪存使用的至少一镜射区;该镜射装置在该闪存控制器写入数据至该第二闪存时,复制该数据以形成镜射数据至该镜射区,且该闪存控制器在该数据被读取时,若判断该数据具有错误时,则读取该镜射数据以取代该数据。
进一步地,上述本发明所述的数据存取装置,其中该第一闪存的品质较该第二闪存为佳。
进一步地,上述本发明所述的数据存取装置,其中该第一闪存为单层单元(Single Level Cell,SLC)的闪存,该第二闪存为多层单元(Multi Level Cell,MLC)的闪存。
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