[发明专利]用于显示设备的阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种用于显示设备的阵列基板，该阵列基板包括：

具有像素区域的基板；

位于所述基板上的选通线和栅极，所述栅极连接到所述选通线；

位于所述选通线和栅极上的栅绝缘层；

位于所述栅极上方且位于栅绝缘层上的氧化物半导体层；

位于所述氧化物半导体层上的辅助图案，所述辅助图案具有包括钛和钛合金之一的第一部分以及包括钛氧化物的第二部分；

位于所述辅助图案上的源极和漏极，所述源极和漏极设置在所述辅助图案的第一部分上方并且彼此隔开，以露出所述辅助图案的第二部分；

位于所述栅绝缘层上方的数据线，所述数据线与所述选通线交叉以限定所述像素区域，并且所述数据线连接到源极；

位于所述源极、漏极和数据线上的钝化层，所述钝化层具有露出所述漏极的漏接触孔；

位于所述钝化层上的像素电极，所述像素电极通过所述漏接触孔连接到所述漏极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述氧化物半导体层包括非晶铟-镓-氧化锌(a-IGZO)和锌锡氧化物(ZTO)之一。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述氧化物半导体层具有约到约的厚度，所述辅助图案具有约到约的厚度。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，该阵列基板还包括位于所述数据线和所述栅绝缘层之间的第一虚拟图案和第二虚拟图案。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其中所述第一虚拟图案具有与所述氧化物半导体层相同的材料和相同的层，所述第二虚拟图案具有与所述辅助图案的第一部分相同的材料和相同的层。

6.一种制造阵列基板的方法，该方法包括以下步骤：

在具有像素区域的基板上形成选通线和栅极，所述栅极连接到所述选通线；

在所述选通线和栅极上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上顺序地形成氧化物半导体层和辅助图案，所述辅助图案包括钛和钛合金之一；

在所述辅助图案上形成源极和漏极并且在所述栅绝缘层上方形成数据线，所述源极和漏极设置在所述辅助图案的第一部分上方并且彼此隔开，以露出所述辅助图案的第二部分，所述数据线与所述选通线交叉以限定所述像素区域；

将所述辅助图案的第二部分氧化，以形成包括钛氧化物的氧化物层；

在所述源极、漏极和数据线上形成钝化层，所述钝化层具有露出所述漏极的漏接触孔；以及

在所述钝化层上形成像素电极，所述像素电极通过所述漏接触孔连接到所述漏极。

7.根据权利要求6所述的方法，其中顺序地形成氧化物半导体层和辅助图案以及形成源极、漏极和数据线的步骤包括以下步骤：

通过溅射法在所述栅绝缘层上顺序地形成氧化物半导体材料层、包括钛和钛氧化物之一的辅助材料层、以及金属层；

在所述金属层上形成第一光刻胶图案和第二光刻胶图案，所述第一光刻胶图案的厚度大于所述第二光刻胶图案的厚度；

利用第一光刻胶图案和第二光刻胶图案作为蚀刻掩模，对所述金属层、辅助材料层、以及氧化物半导体材料层顺序地进行构图，以在所述栅绝缘层上形成氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层上形成辅助图案、在所述辅助图案上形成源-漏图案、以及在所述栅绝缘层上方形成数据线；

通过灰化法去除所述第二光刻胶图案，所述源-漏图案通过所述第一光刻胶图案而露出；

利用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模对所述源-漏图案进行构图，以在所述辅助图案上形成源极和漏极；以及

去除所述第一光刻胶图案。

8.根据权利要求6所述的方法，其中顺序地形成氧化物半导体层和辅助图案以及形成源极、漏极和数据线的步骤包括以下步骤：

通过溅射法在栅绝缘层上顺序地形成氧化物半导体材料层以及包括钛和钛氧化物之一的辅助材料层；

对所述辅助材料层和氧化物半导体材料层顺序地进行构图，以在所述栅绝缘层上形成氧化物半导体层并且在所述氧化物半导体层上形成辅助图案；

在所述辅助图案上形成金属层；以及

对所述金属层进行构图，以在所述辅助图案上形成所述源极和漏极并且在所述栅绝缘层上形成数据线。

9.根据权利要求6所述的方法，其中将所述辅助图案的第二部分氧化的步骤包括在真空腔中用氧等离子体来对具有所述辅助图案的第二部分的基板进行处理。