[发明专利]背照式固态图像拾取设备

权利要求书

1.一种背照式固态图像拾取设备，包括：

第一导电型半导体层，其包括第一主表面和第二主表面，所述第二主 表面与所述第一主表面相对，并且所述第一导电型半导体层还包括像素区 和外围电路区；

第二导电型第一杂质层，其被形成为在所述外围电路区中从所述第一 主表面到达所述第二主表面；

第一金属层，其至少部分形成在所述第二导电型第一杂质层的第二主 表面上；.

第一接地电极，其电连接到所述第一金属层；

光转换区，其形成在所述像素区中；以及

微透镜，其设置在所述像素区中的所述第二主表面上，以便与所述光 转换区对应。

2.如权利要求1所述的背照式固态图像拾取设备，

其中，所述外围电路区是模拟电路区，所述模拟电路区还包括第一导 电型第一杂质层，所述第一导电型第一杂质层部分形成在所述第二导电型 第一杂质层的第一主表面侧中，以及所述模拟电路区具有根据需要分别在 所述第一导电型第一杂质层和所述第二导电型第一杂质层中形成的第二导 电型MOSFET和第一导电型MOSFET。

3.如权利要求1所述的背照式固态图像拾取设备，

其中所述像素区还包括：

第二导电型第二杂质层，其被形成为从所述第一主表面到达所述第二 主表面并包围所述光转换区；

第二金属层，其至少部分形成在所述第二导电型第二杂质层的第二主 表面上；以及

第二接地电极，其电连接到所述第二金属层。

4.如权利要求2所述的背照式固态图像拾取设备，

其中所述像素区还包括：

第二导电型第二杂质层，其被形成为从所述第一主表面到达所述第二 主表面并包围所述光转换区；

第二金属层，其至少部分形成在所述第二导电型第二杂质层的第二主 表面上；以及

第二接地电极，其电连接到所述第二金属层。

5.如权利要求3所述的背照式固态图像拾取设备，

其中所述外围电路区还包括逻辑电路区，

所述逻辑电路区包括：

第一导电型第二杂质层，其形成在所述第一主表面侧上；

第二导电型第三杂质层，其被形成为包围所述第一导电型第二杂 质层，并从所述第一主表面到达所述第二主表面；

第二导电型第四杂质层，其部分地形成在所述第一导电型第二杂 质层的第一主表面侧中；

第三金属层，其至少部分形成在所述第二导电型第三杂质层的第 二主表面上；以及

第三接地电极，其电连接到所述第三金属层；以及

在所述第一导电型第二杂质层和所述第二导电型第四杂质层中根据需 要分别形成第二导电型MOSFET和第一导电型MOSFET。

6.如权利要求4所述的背照式固态图像拾取设备，

其中所述外围电路区还包括逻辑电路区，

所述逻辑电路区包括：

第一导电型第二杂质层，其形成在所述第一主表面侧上；

第二导电型第三杂质层，其被形成为包围所述第一导电型第二杂 质层，并从所述第一主表面到达所述第二主表面；

第二导电型第四杂质层，其部分地形成在所述第一导电型第二杂 质层的第一主表面侧中；

第三金属层，其至少部分形成在所述第二导电型第三杂质层的第 二主表面上；以及

第三接地电极，其电连接到所述第三金属层；以及

在所述第一导电型第二杂质层和所述第二导电型第四杂质层中根据需 要分别形成第二导电型MOSFET和第一导电型MOSFET。

7.如权利要求5所述的背照式固态图像拾取设备，

其中通过被分别形成为贯穿所述第一到第三金属层的通孔，所述第一 到第三金属层电连接到所述第一到第三接地电极。

8.如权利要求6所述的背照式固态图像拾取设备，

其中通过被分别形成为贯穿所述第一到第三金属层的通孔，所述第一 到第三金属层电连接到所述第一到第三接地电极。