[发明专利]引线框、半导体装置以及引线框的制造方法

权利要求书

1.一种引线框，其具备：

由金属材料构成的基材，

在所述基材的一部分上设置的、可以搭载半导体元件的元件搭载部，

作为所述基材的表面的一部分的、在与密封所述元件搭载部所搭载的所述半导体元件的密封材料相接触的区域的至少一部分上设置的粗糙化面。

2.如权利要求1所述的引线框，所述粗糙化面位于比所述基材的所述表面更靠近所述基材的内侧的位置。

3.如权利要求2所述的引线框，所述粗糙化面具有比所述基材的所述表面的粗糙度更大的粗糙度。

4.如权利要求3所述的引线框，在所述基材的所述表面的一部分上还设有导电层。

5.一种半导体装置，其具有：

由金属材料构成的基材，

在所述基材的一部分上设置的元件搭载部上搭载的半导体元件，

密封所述半导体元件的密封部，

作为所述基材的表面的一部分的、在与所述密封部相接触的区域的至少一部分上设置的粗糙化面。

6.如权利要求5所述的半导体装置，所述粗糙化面位于比所述基材的所述表面更靠近所述基材的内侧的位置。

7.如权利要求6所述的半导体装置，所述粗糙化面具有比所述基材的所述表面的粗糙度更大的粗糙度。

8.如权利要求7所述的半导体装置，在所述基材的所述表面的一部分上还设有导电层。

9.一种引线框的制造方法，其具有：

准备由金属材料构成的基材的基材准备工序，

在所述基材的表面的预先设定的区域内设置掩模部件的掩模工序，

以所述掩模部件为掩模，在所述基材的表面实施粗糙化处理而形成粗糙化处理后基材的粗糙化工序，

在所述粗糙化处理后基材上实施冲压处理的冲压加工工序。

10.如权利要求9所述的引线框的制造方法，在所述粗糙化工序中，在所述基材的所述表面的一部分上形成位于比所述基材的所述表面更靠近所述基材的内侧的粗糙化面。

11.如权利要求10所述的引线框的制造方法，在所述粗糙化工序中，形成具有比所述基材的所述表面的粗糙度更大的粗糙度的所述粗糙化面。

12.如权利要求11所述的引线框的制造方法，通过在所述基材的所述表面设置所述掩模部件的卷对卷电镀装置来实施所述掩模工序，在所述卷对卷电镀装置内实施所述粗糙化工序。

13.如权利要求12所述的引线框的制造方法，还具有在所述基材的表面的一部分上形成导电层的导电层形成工序。

14.如权利要求13所述的引线框的制造方法，在所述基材准备工序中还具有将所述基材卷绕成卷轴状而准备卷轴状基材、在所述冲压加工工序后将实施了所述冲压处理的所述粗糙化处理后基材卷绕成卷轴状的卷绕工序。