[发明专利]有机发光显示器无效
申请号: | 200910179535.9 | 申请日: | 2009-10-12 |
公开(公告)号: | CN101728419A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 郭源奎 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/48;H01L23/12;G09G3/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭鸿禧;马翠平 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示器 | ||
本申请要求于2008年10月17日提交到韩国知识产权局的第10-2008-0101947号韩国专利申请的优先权和权益,该申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示器,更具体地说,本发明涉及一种防止或降低阴极的IR降(即,电压降)的有机发光显示器。
背景技术
近来,已经开发出比阴极射线管(CRT)轻且薄的各种平板显示器(FPD)。在FPD中,使用有机化合物作为荧光体以具有优良的亮度和色纯度的有机发光显示器倍受关注。
由于有机发光显示器轻且薄,并能够以低功耗驱动,所以除了在较大尺寸FPD中的应用之外,有机发光显示器还适用于便携式显示器。
通常,根据发光方向,有机发光显示器被分为顶发射有机发光显示器或底发射有机发光显示器。另外,双侧发射有机发光显示器具有将顶发射有机发光显示器和底发射有机发光显示器结合的特征。
由于用于驱动OLED的薄膜晶体管不能位于发光区,所以传统的底发射有机发光显示器具有开口率低的缺点。
相反,不管薄膜晶体管是否位于OLED之下,顶发射有机发光显示器都能获得期望的开口率。
然而,在顶发射有机发光显示器中,由于由OLED的发射层产生的光穿过阴极发射出去,所以阴极需要是透明的。因此,阴极由透明导电材料例如厚度足够小以成为透明的MgAg或ITO制成。
然而,诸如ITO的透明导电材料的电阻高,并且MgAg只能具有有限的厚度。因此,阴极的电阻高,从而出现相对高的IR降(即,电压降)。具体地说,随着显示面板的尺寸变大,阴极的IR降大大增加,从而图像质量和显示特性会不均匀。
发明内容
因此,根据本发明实施例的一方面在于提供一种能降低或防止阴极的IR降的有机发光显示器。
为了实现本发明的上述和/或其它方面,根据本发明的第一实施例,提供了一种包括第一基底和第二基底的有机发光显示器。第一基底具有位于其上的多个像素,每个像素包括有机发光二极管,其中,有机发光二极管的包含透明材料的阴极位于像素的基本上整个区域上。第二基底在面对像素的一侧上具有网格式辅助电极,网格式辅助电极与像素之间的非发射区对应,并电连接到阴极。
这里,辅助电极可包含导电黑色矩阵材料。
辅助电极可包含比电阻低于阴极材料的比电阻的材料。
有机发光显示器还包括透明导电层,透明导电层在辅助电极的基本上整个区域上并与阴极接触,以将辅助电极电连接到阴极。透明导电层在像素之间的非发射区与阴极接触。
根据本发明的另一方面,提供了一种有机发光显示器,该有机发光显示器包括:第一基底;第二基底,与第一基底面对,在第一基底和第二基底之间具有间隙;多个有机发光二极管,在第一基底上,有机发光二极管共用包含基本透明材料的共电极,每个有机发光二极管包括像素电极以及在像素电极与共电极之间的发光层;多个薄膜晶体管,在第一基底上,并电连接到有机发光二极管;辅助电极,在第二基底上并位于有机发光二极管之间的非发射区,并且辅助电极电连接到共电极,以降低共电极的电阻。
因此,在根据本发明实施例的有机发光显示器中,由于辅助电极在上基底上,其中辅助电极电连接到在下基底上的阴极并且电阻比阴极的电阻低,所以能降低或防止阴极的IR降。
附图说明
附图与说明书一起示出了本发明的示例性实施例,并且,附图与描述一起用于解释本发明的原理。
图1是示出根据本发明实施例的有机发光显示器的分解透视图;
图2是示出图1中示出的有机发光显示器的主要部件的剖视图;
图3是示出根据本发明另一实施例的有机发光显示器的主要部件的剖视图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图描述根据本发明的特定示例性实施例。这里当第一元件被称为结合到第二元件时,第一元件可以直接结合到第二元件,或者可通过第三元件间接结合到第二元件。此外,为了清楚起见,省略了一些对完全理解本发明不必要的元件。另外,相同的标号始终表示相同的元件。
在下文中,将参照附图(即,图1至图3)详细描述本发明的示例性实施例。
图1是示出根据本发明实施例的有机发光显示器的分解透视图,图2是示出图1中示出的有机发光显示器的主要部件的剖视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的