[发明专利]控制热飞行高度控制触地期间的接触位置的方法和系统有效
申请号: | 200910179779.7 | 申请日: | 2009-10-19 |
公开(公告)号: | CN101727919A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 彼得·M·鲍姆加特;江嘉扬;古林德·P·辛格 | 申请(专利权)人: | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
主分类号: | G11B5/60 | 分类号: | G11B5/60 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 李昕巍 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 控制 飞行 高度 期间 接触 位置 方法 系统 | ||
1.一种磁头系统,包括:
薄膜堆叠,具有磁换能器和接触垫,该接触垫用于确定头盘间距而没有 损坏头或盘的风险;以及
加热器,在该薄膜堆叠中,用于引发该薄膜堆叠的面向介质侧的热突出;
其中该薄膜堆叠的特征在于当该薄膜堆叠被该加热器加热时,该接触垫 突出得远于该磁换能器。
2.如权利要求1所述的系统,其中所述加热器位于该接触垫的相对于该 薄膜堆叠的面向介质侧的后方。
3.如权利要求2所述的系统,其中该加热器位于该接触垫的沉积平面 中。
4.如权利要求1所述的系统,其中该磁换能器是传感器,且该系统还包 括写元件,其中该接触垫位于该传感器与该写元件之间。
5.如权利要求4所述的系统,其中与该传感器相比,该接触垫更靠近该 写元件的极。
6.如权利要求1所述的系统,还包括磁盘,该磁换能器用于从该磁盘读 取数据或者写数据到该磁盘。
7.如权利要求1所述的系统,其中该接触垫由耐腐蚀材料构成。
8.如权利要求1所述的系统,其中该接触垫具有比该磁换能器的最厚的 层更高的热膨胀系数。
9.如权利要求1所述的系统,其中该磁换能器是传感器,且该系统还包 括磁屏蔽件,其中该接触垫具有比该磁屏蔽件更高的热膨胀系数。
10.一种磁头系统,包括:
薄膜堆叠,具有传感器、写元件、以及位于该传感器和该写元件之间的 接触垫,该接触垫用于确定头盘间距而没有损坏头或盘的风险;以及
加热器,在该薄膜堆叠中用于引起该薄膜堆叠的面向介质侧的热突出,
其中该薄膜堆叠的特征在于当该薄膜堆叠被该加热器加热时,该接触垫 突出得远于该写元件,
其中该加热器位于该接触垫的相对于该薄膜堆叠的面向介质侧的后方。
11.如权利要求10所述的系统,其中该薄膜堆叠包括磁屏蔽件,其中该 接触垫具有比该磁屏蔽件更高的热膨胀系数。
12.如权利要求10所述的系统,其中该接触垫具有比该写元件的极更高 的热膨胀系数。
13.一种校准磁头的突出的方法,包括:
增大磁头的热突出从而引起磁头-介质接触;
确定该磁头已经接触所述介质,其中所述磁头的接触该介质的部分是接 触垫或者接触垫的保护层;
部分地基于确定该磁头已接触该介质,确定用于引起所需量的突出的参 数;以及
存储该参数。
14.如权利要求13所述的方法,其中除了接触所述介质或使该接触垫的 保护层接触该介质之外,该接触垫在该磁头中没有其他功能。
15.如权利要求13所述的方法,其中仅该接触垫或该接触垫的保护层接 触该介质。
16.如权利要求13所述的方法,其中所述介质是磁盘。
17.如权利要求13所述的方法,还包括应用所存储的参数以用于引起所 需量的突出。
18.如权利要求13所述的方法,其中所述接触垫位于所述磁头的读元件 附近,使得当该接触垫或者该接触垫的保护层接触该介质时,该读元件距该 介质小于2nm。
19.如权利要求13所述的方法,其中该接触垫位于该磁头的写元件附 近,使得当该接触垫或者该接触垫的保护层接触该介质时,该写元件距该介 质小于2nm。
20.一种用于校准磁头的突出的方法,包括:
增大磁头的热突出从而引起磁头-介质接触;
确定所述磁头已接触所述介质,其中该磁头的接触该介质的部分是接触 垫或者接触垫的保护层;以及
在确定所述磁头已接触所述介质后,将所述热突出减小预定的量。
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