[发明专利]非金属元素合金化的片层铌钼硅基原位复合材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910180267.2 申请日: 2007-12-05
公开(公告)号: CN101792879A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 马朝利;张虎;李玉龙;刘肖;徐惠彬;张涛 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: C22C27/02 分类号: C22C27/02;C22C30/00;C22C32/00;C22C29/00;C22C1/10;C22C1/02;B22D27/04
代理公司: 北京永创新实专利事务所 11121 代理人: 周长琪
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 非金属元素 合金 片层铌钼硅基 原位 复合材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种非金属元素合金化的片层铌钼硅基原位复合材料,该Nb-Mo-Si原位复合材料由47~87at%的铌(Nb)、10~40at%的钼(Mo)和10~30at%的硅(Si)组成;其特征在于:向Nb-Mo-Si原位复合材料中添加1~10at%的锗(Ge)提高Nb-Mo-Si原位复合材料在1200~1500℃高温的抗蠕变性。

2.根据权利要求1所述的铌钼硅基原位复合材料,其特征在于:Nb-Mo-Si-Ge原位复合材料具有(Nb,Mo)ss和(Nb,Mo)5(Si,Ge)3两相,在1200℃、应力为170MPa、蠕变处理100h的条件下,蠕变变形量为0.5~1.0%。

3.根据权利要求1所述的铌钼硅基原位复合材料,其特征在于:原位复合材料成分为Nb72Mo10Si16Ge2

4.一种采用光悬浮区域熔炼定向凝固制备如权利要求1所述的铌钼硅基原位复合材料的方法,其特征在于有下列步骤:

第一步:按Nb-Mo-Si-Ge原子配比称取纯度为99.99%的铌(Nb)、纯度为99.99%的钼(Mo)、纯度为99.99%的硅(Si)、纯度为99.99%的锗(Ge)待用;

第二步:将上述称取的目标成分原料、锗(Ge)放入非自耗真空电弧炉内,抽真空至5×10-4Pa~1×10-3Pa,充入高纯氩气至0.5×105Pa,在熔炼温度2700~3000℃下熔炼2~5遍,制得合金锭;

第三步:(A)将第二步制得的合金锭采用线切割加工获得合金料棒和底座棒,然后将其置入光悬浮区域熔炼炉中,料棒悬挂在上杆,底座棒固定在下杆;

(B)抽真空至5×10-4Pa~1×10-3Pa,充入流速为1~2L/min氩气,流动的氩气起到冷却的作用,形成适当的温度梯度,料棒和底座棒保持旋转,旋转方向相反,旋转速度为40~50r/min;

(C)对料棒开始加热,加热温度逐渐升高,升温速度为60~100℃/min,直至料棒熔化,然后将料棒与底座棒对接起来,开始抽拉,抽拉速度为0.5~10mm/h,温度梯度100~200K/cm,抽拉5~20h,定向凝固完毕,制得具有片层结构的Nb-Mo-Si-Ge原位复合材料。 

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