[发明专利]集成电路结构及存储器阵列

权利要求书

1.一种集成电路结构，包含：

多个第一掺杂区，以阵列方式设置于一基板上，该阵列具有奇数列及偶数列，且各偶数列紧邻于一相对应的奇数列；

多个埋入式位元线呈线性延伸，设置于该基板中，其特征在于各埋入式位元线电性连接该阵列的同一奇数列的所述多个第一掺杂区；以及

多个表面式位元线呈线性延伸，设置于该基板的一上表面，其特征在于各表面式位元线电性连接该阵列的同一偶数列的所述多个第一掺杂区。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于各表面式位元线的宽度与各埋入式位元线的宽度不同。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于该埋入式位元线设置于半导体基板的一绝缘结构之中。

4.根据权利要求3所述的集成电路结构，其特征在于该绝缘结构包含多个浅沟槽绝缘层。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征还包含：

多个字元线，实质上与所述多个位元线垂直，其特征在于各第一掺杂区设置于各字元线的一侧；以及

多个第二掺杂区，设置于该基板中，其特征在于各第二掺杂区设置于各字元线的另一侧。

6.一种存储器阵列，包含：

一基板，具有一上表面；

多个有源区，以阵列方式设置于该基板中，该阵列具有多个奇数列及多个偶数列，且各偶数列紧邻于一相对应的奇数列；

一晶体管，设置于该有源区中，其特征在于各晶体管包含一第一掺杂区、一第二掺杂区、介于该第一掺杂区及该第二掺杂区之间的一载流子沟道，以及设置于该载流子沟道上的一栅极；

一绝缘结构，被设置以电性隔离各有源区；

多个埋入式位元线呈线性延伸，设置于该绝缘结构中，其特征在于各埋入式位元线电性连接该阵列的同一奇数列的所述多个第一掺杂区；以及

多个表面式位元线呈线性延伸，设置于该基板的该上表面，其特征在于各表面式位元线电性连接该阵列的同一偶数列的所述多个第一掺杂区。

7.根据权利要求6所述的存储器阵列，其特征在于各表面式位元线的宽度与各埋入式位元线的宽度不同。

8.根据权利要求6所述的存储器阵列，其特征在于该第二掺杂区电性连接至一电容。

9.根据权利要求6所述的存储器阵列，其特征在于该绝缘结构包含多个浅沟槽绝缘层。