[发明专利]一种降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法有效
| 申请号： | 200910180528.0 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101673670A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 于祥潞;徐永宽;殷海丰;程红娟;李强;杨丹丹;赖占平;严如岳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/306;H01L21/20 |
| 代理公司： | 信息产业部电子专利中心 | 代理人： | 梁 军 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 氮化物 支撑 曲度 方法 | ||
1.一种降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
对剥离下来的三族氮化物自支撑片进行腐蚀；
对腐蚀后的三族氮化物自支撑片进行生长，生长面为氮面；其中，所述三族氮化物自支撑片的生长温度为650℃～1150℃，生长厚度大于等于20μm。
2.如权利要求1所述的降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法，其特征在于，对剥离下来的三族氮化物自支撑片进行湿法腐蚀。
3.如权利要求2所述的降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法，其特征在于，所述湿法腐蚀所用的腐蚀液是盐酸和硝酸的混合液，或硫酸和磷酸的混合液。
4.如权利要求1所述的降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法，其特征在于，对剥离下来的三族氮化物自支撑片进行干法腐蚀。
5.如权利要求4所述的降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法，其特征在于，所述干法腐蚀是将自支撑片放入单晶炉中，向反应室内通入氯化氢和氨气，对自支撑片进行腐蚀操作。
6.如权利要求1所述的降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法，其特征在于，对腐蚀后的三族氮化物自支撑片进行生长的生长方法为氢化物气相外延、金属有机化学气相沉积或氨热法。
7.如权利要求1所述的降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法，其特征在于，在对腐蚀后的三族氮化物自支撑片进行生长之后，进行退火降温。
8.如权利要求1～7任一项所述的降低三族氮化物自支撑片翘曲度的方法，其特征在于，所述三族氮化物自支撑片厚度大于等于50μm。
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