[发明专利]一种氮化镓晶体抛光的方法有效
| 申请号： | 200910180529.5 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101673668A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李强;徐永宽;程红娟;殷海丰;于祥潞;杨丹丹;赖占平;严如岳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/302;B24B37/04;B24B29/02 |
| 代理公司： | 信息产业部电子专利中心 | 代理人： | 梁 军 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 晶体 抛光 方法 | ||
1.一种氮化镓晶体抛光的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
将氮化镓晶片粘贴在石英板上；
用研磨机对粘贴在石英板上的氮化镓晶片进行研磨；
把抛光垫贴在抛光盘上，用环型重物把贴有氮化镓晶片的石英板压在抛光 垫上，使紫外光从环形重物上方透过，照在氮化镓晶片上，对抛光液加热；启 动抛光机，使研磨盘旋转进而带动氮化镓晶片以及环型重物旋转进行抛光；其 中，环型重物的压力为100-500g/cm2。
2.如权利要求1所述的氮化镓晶体抛光的方法，其特征在于，将氮化镓 晶片粘贴在石英板上，具体为：
将石英板在加热器上加热，把蜡均匀的涂抹其上，再把氮化镓晶片粘在蜡 上按实，停止加热，待蜡凝固后，将多余的蜡清除掉，完成贴片。
3.如权利要求1所述的氮化镓晶体抛光的方法，其特征在于，将所述氮 化镓晶片粘贴在所述石英板的中央。
4.如权利要求1所述的氮化镓晶体抛光的方法，其特征在于，将所述氮 化镓晶片均匀粘贴在所述石英板的四周，且与所述石英板边缘保持至少2mm 的距离。
5.如权利要求1所述的氮化镓晶体抛光的方法，其特征在于，对所述氮 化镓晶片进行研磨的方法是：
采用不同粒径的磨料对所述氮化镓晶片进行多次研磨。
6.如权利要求5所述的氮化镓晶体抛光的方法，其特征在于，所述磨料 立方碳化硼、碳化硅、刚玉粉。
7.如权利要求1所述的氮化镓晶体抛光的方法，其特征在于，所述抛光 为粗抛，粗抛抛光液为粒径为80nm的Al2O3抛光液，其中加入5％的三氯异氰 脲酸。
8.如权利要求7所述的氮化镓晶体抛光的方法，其特征在于，在粗抛之 后，还包括细抛，细抛的抛光液采用粒径为25-26nm的SiO2抛光液，其中加 入5％的H2O2。
9.如权利要求1所述的氮化镓晶体抛光的方法，其特征在于，所述抛光 液的温度为30-90℃。
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