[发明专利]一种氮化物膜的制备方法有效
| 申请号： | 200910180530.8 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101673672A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 杨丹丹;徐永宽;程红娟;殷海丰;李强;于祥潞;赖占平;严如岳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/306;H01L21/321 |
| 代理公司： | 信息产业部电子专利中心 | 代理人： | 梁 军 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 制备 方法 | ||
1.一种氮化物膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
在异质衬底上沉积氮化物薄膜；
对氮化物薄膜上进行镀金属，得到金属薄膜；
对金属薄膜进行氮化，得到具有孔隙的金属薄膜；
通入氯化氢气体，对氮化物薄膜的表面进行腐蚀，得到网状的凹槽及孔隙后，停止氯化氢气体的通入；
对具有孔隙的金属薄膜进行腐蚀，腐蚀掉具有孔隙的金属薄膜后，对带有网状凹槽氮化物及空隙氮化物的异质衬底进行清洗，清洗结束后拿回反应炉中进行氮化物膜的生长，得到氮化物膜。
2.如权利要求1所述的氮化物膜的制备方法，其特征在于，沉积的氮化物薄膜材料为：GaN、AlN或InN。
3.如权利要求2所述的氮化物膜的制备方法，其特征在于，在异质衬底上沉积的所述氮化物薄膜厚度为2μm-50μm。
4.如权利要求1所述的氮化物膜的制备方法，其特征在于，所述镀金属的材料为Ti或W。
5.如权利要求4所述的氮化物膜的制备方法，其特征在于，所述镀金属的方法采用磁控溅射法。
6.如权利要求1所述的氮化物膜的制备方法，其特征在于，对具有孔隙的金属薄膜进行腐蚀的腐蚀液为：王水、硝酸、氢氟酸或苛性碱。
7.如权利要求1所述的氮化物膜的制备方法，其特征在于，对具有孔隙的金属薄膜进行腐蚀的腐蚀液为：硝酸和氢氟酸的混合液。
8.如权利要求1所述的氮化物膜的制备方法，其特征在于，对具有孔隙的金属薄膜进行腐蚀的腐蚀液为：氢氟酸和高锰酸钾的混合液。
9.如权利要求1所述的氮化物膜的制备方法，其特征在于，所述凹槽的深度大于等于2μm。
10.如权利要求1所述的氮化物膜的制备方法，其特征在于，依次使用三氯乙烯、丙酮、乙醇对带有网状凹槽氮化物的异质衬底进行清洗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
