[发明专利]固态摄像元件、固态摄像装置及其制造方法

权利要求书

1.一种固态摄像元件，其特征在于，具有：

第2导电型平面状半导体层；

第1导电型平面状半导体层，其形成于上述第2导电型平面 状半导体层上；

孔，其形成于上述第1导电型平面状半导体层；

第1导电型高浓度杂质区域，其形成于在上述第1导电型平 面状半导体层所形成的孔的底部；

元件隔离区域，其由形成于在上述第1导电型平面状半导体 层所形成的孔的侧壁的其中一部分上，且与上述第1导电型高浓 度杂质区域相连接的第1导电型高浓度杂质所构成；

第2导电型光电转换区域，其形成于在上述第1导电型平面 状半导体层所形成的孔的底部所形成的上述第1导电型高浓度 杂质区域的下部、以及形成于在上述第1导电型平面状半导体层 所形成的孔的另一部分侧壁的底部，且通过受光而使自身电荷 量产生变化；

传输电极，其隔着栅极绝缘膜而形成于在上述第1导电型平 面状半导体层所形成的孔的侧壁上；

第2导电型CCD通道区域，其形成于上述第1导电型平面状 半导体层表面、以及在上述第1导电型平面状半导体层所形成的 孔的另一部分侧壁的上部；以及

读取通道，其形成于由上述第2导电型光电转换区域和上述 第2导电型CCD通道区域所夹的区域。

2.一种固态摄像装置，其特征在于：

其由多个权利要求1所述的固态摄像元件排列成行列状而成。

3.如权利要求2所述的固态摄像装置，其特征在于，

上述第2导电型CCD通道区域由至少在上述第1导电型平面 状半导体层上所形成的相邻各孔列间沿列方向延伸的第2导电 型杂质区域所构成，

以使上述第2导电型CCD通道区域互相不接触的方式设置 由第1导电型高浓度杂质所构成的元件隔离区域。

4.如权利要求3所述的固态摄像装置，其特征在于，

多个传输电极，包含有隔着栅极绝缘膜而形成于在上述第1 导电型平面状半导体层所形成的孔的侧壁上的传输电极，该多 个传输电极在形成于上述第1导电型平面状半导体层的各孔行 间沿行方向延伸，且离开预定间隔地排列，从而沿着上述第2导 电型CCD通道区域传输上述固态摄像元件所产生的信号电荷。

5.一种固态摄像装置，其特征在于：

沿第1方向以第1间隔排列多个如权利要求1所述的固态摄 像元件而形成第1固态摄像元件列，沿上述第1方向以上述第1 间隔排列多个如权利要求1所述的固态摄像元件而形成第2固态 摄像元件列，且该第2固态摄像元件列在上述第1方向上相对于 上述第1固态摄像元件列错开预定量，由该第1固态摄像元件列 以及该第2固态摄像元件列隔开第2间隔地排列而成的元件列的 组，沿上述第1方向错开预定量地隔开上述第2间隔而排列多组。

6.如权利要求5所述的固态摄像装置，其特征在于，

上述第2导电型CCD通道区域至少在上述第1导电型平面状 半导体层上所形成的相邻各孔列间，由第2导电型杂质区域构 成，该第2导电型杂质区域经过形成于该相邻的上述第1导电型 平面状半导体层的孔列中的形成于各上述第1导电型平面状半 导体层的相邻孔之间，并沿列方向延伸，

以使上述第2导电型CCD通道区域互相不接触的方式而设 置由第1导电型高浓度杂质所构成的元件隔离区域。

7.如权利要求6所述的固态摄像装置，其特征在于，

上述传输电极在形成于上述第1导电型平面状半导体层的 相邻各孔行间，经过形成于该上述第1导电型平面状半导体层的 孔行中的形成于各上述第1导电型平面状半导体层的相邻孔之 间而沿行方向延伸，且按相隔预定间隔的方式排列，从而能沿 着上述第2导电型CCD通道区域传输上述固态摄像元件所产生 的信号电荷。