[发明专利]一种碳化硼增强的氮化铝陶瓷无效
申请号: | 200910180869.8 | 申请日: | 2009-10-20 |
公开(公告)号: | CN101665358A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | 吴师岗;石汝军;张士超;韩娜;赵德华 | 申请(专利权)人: | 淄博高新区联创科技服务中心 |
主分类号: | C04B35/622 | 分类号: | C04B35/622;C04B35/582 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 255086山东省淄博市高新*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化 增强 氮化 陶瓷 | ||
1.一种碳化硼增强的氮化铝陶瓷的制备方法,其特征是,包括以下步骤:
a.称取材料,按要求用天平分别称取碳化硼、氮化铝和氮化铝磨球;
b.球磨,将步骤a中称好的材料分别装入行星式球磨罐中进行球磨;
c.烧结,将步骤B中球磨后的混合粉料置于石墨模具中,并将石墨模具放置于多功能烧结炉中烧结;
d.保温、冷却,将步骤c中的石墨模具在多功能烧结炉中保温约1小时后停止加热,使石墨模具在多功能烧结炉中自然冷却到室温;
e.制备成品,将步骤d中烧结好的陶瓷块经磨削、切割工艺得到成品。
所述步骤a中碳化硼、氮化铝和氮化铝球磨球的质量比为:0.25-5∶34.75-30∶245,其中,有碳化硼和氮化铝组成的混合粉料与氮化铝球磨球的质量比始终为1∶7。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征是,所述步骤b中球磨的工艺参数为:室温下300r/min球磨8小时。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征是,所述步骤c中烧结的工艺参数为:以20℃/min升温至1500℃,加压25Mpa。
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