[发明专利]一种发光二极管有效
| 申请号： | 200910181236.9 | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101604725A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 张银桥;蔡建九;张双翔;王向武 | 申请（专利权）人： | 扬州汉光光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 | 代理人： | 江 平 |
| 地址： | 225009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于在N-GaAs衬底上外延结构由下至上依次为n-GaAs缓冲层、隧穿结、p-GaAs缓冲层、布拉格反射层、p-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层、Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区、n-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层、电流扩展层、表面粗化层和GaAs欧姆接触层；所述p-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层中，x为0.6～1，y为0.4～0.6；所述Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区中，x为0～0.5，y为0.4～0.6；所述n-(AlxGa1-x)yInl-yP上限制层中，x为0.6～1，y为0.4～0.6；所述电流扩展层为n-(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中，x为0～1，y为0.45～0.55；所述表面粗化层为n-(AlxGa1-x)yIn1-yP、n-GaP中的任一种。
2.根据权利要求1所述发光二极管，其特征在于所述隧穿结为n-GaAs/p-GaAs、n-AlGaAs/p-AlGaAs、n-GaAs/p-AlGaAs、n-AlGaAs/p-GaAs、n-AlInP/p-AlInP、n-GaInP/p-GaInP、n-AlGaInP/p-AlGaInP中的任一种。
3.根据权利要求1所述发光二极管，其特征在于所述布拉格反射层为p-AlAs/p-AlxGa1-xAs或p-AlInP/p-(AlxGa1-x)yIn1-yP；所述p-AlAs/p-AlxGa1-xAs中，x为0～0.7；所述p-AlInP/p-(AlxGa1-x)yIn1-yP中，x为0.3～0.7，y为0.4～0.6。
4.根据权利要求1所述发光二极管，其特征在于所述电流扩展层的掺杂浓度为1×1018～1×1020。
5.根据权利要求1所述发光二极管，其特征在于所述电流扩展层的外延厚度为
6.根据权利要求1所述发光二极管，其特征在于所述n-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层中，x为0～1，y为0.45～0.55。
7.根据权利要求1所述发光二极管，其特征在于所述表面粗化层的掺杂浓度为1×1018～1×1020。
8.根据权利要求1所述发光二极管，其特征在于所述表面粗化层的外延厚度为
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