[发明专利]一种采用P型衬底的发光二极管有效
申请号: | 200910181237.3 | 申请日: | 2009-07-07 |
公开(公告)号: | CN101604726A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | 张银桥;蔡建九;张双翔;王向武 | 申请(专利权)人: | 扬州汉光光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 | 代理人: | 江 平 |
地址: | 225009*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 衬底 发光二极管 | ||
1.一种采用P型衬底的发光二极管,在P-GaAs衬底上外延结构由下至上依次为p-GaAs缓冲层、布拉格反射层、p-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层、Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区、n-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层、电流扩展层、表面粗化层和n-GaAs欧姆接触层;其特征在于所述p-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层中,x为0.6~1,y为0.4-0.6;所述Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区中x为0~0.5,y为0.4~0.6;所述n-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层中,x取值为0.6~1,y取值为0.4~0.6;所述电流扩展层为n-(AlxGa1-x)yIn1-yP,其中x为0~1,y为0.45~0.55;所述表面粗化层为n-(AlxGa1-x)yIn1-yP或n-GaP,所述x为0~1,y为0.45~0.55。
2.根据权利要求1所述采用P型衬底的发光二极管,其特征在于所述布拉格反射层为p-AlAs/p-AlxGa1-xAs或p-AlInP/p-(AlxGa1-x)yIn1-yP;所述p-AlAs/p-AlxGa1-xAs中,x为0~0.7;所述p-AlInP/p-(AlxGa1-x)yIn1-yP中,x为0.3~0.7,y为0.4~0.6。
3.根据权利要求1所述采用P型衬底的发光二极管,其特征在于所述电流扩展层的掺杂浓度为1×1018~1×1020。
4.根据权利要求1所述采用P型衬底的发光二极管,其特征在于所述电流扩展层的外延厚度为
5.根据权利要求1所述采用P型衬底的发光二极管,其特征在于所述表面粗化层的掺杂浓度为1×1018~1×1020。
6.根据权利要求1所述采用P型衬底的发光二极管,其特征在于所述表面粗化层的外延厚度为
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