[发明专利]一种用于单晶硅绒面制备的碳酸盐和苛性碱的混合溶液无效
申请号: | 200910181550.7 | 申请日: | 2009-07-20 |
公开(公告)号: | CN101619458A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | 屈盛;韩增华;余银祥 | 申请(专利权)人: | 欧贝黎新能源科技股份有限公司 |
主分类号: | C23F1/40 | 分类号: | C23F1/40;C30B33/10;H01L31/18 |
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地址: | 226600江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 单晶硅 制备 碳酸盐 苛性碱 混合 溶液 | ||
1、一种用于单晶硅绒面制备的碳酸盐和苛性碱的混合溶液,其特征在于它的配方由以下部分组成:碳酸盐、苛性碱和异丙醇。
2、根据权利要求1所述的一种用于单晶硅绒面制备的碳酸盐和苛性碱的混合溶液,其特征在于它制备方法:将上述组成部分按照一定的浓度比溶解于去离子水之中,而获得单晶硅制绒腐蚀溶液,将该腐蚀溶液加热至70-90℃之间,然后将经过切割后、无绒面的单晶硅片放入溶液中进行腐蚀,腐蚀时间为15-40分钟之间,通过优化上述化学试剂的浓度配比、腐蚀温度和反应时间从而获得大小均匀、表面一致的绒面单晶硅片;面积为125mm×125mm的单晶硅片在经过上述混合液腐蚀制绒后,每片的减薄量(制绒前后的质量差)在0.2-1.0g之间。
3、根据权利要求1所述的一种用于单晶硅绒面制备的碳酸盐和苛性碱的混合溶液,其特征在于所述的碳酸盐为碳酸钠(Na2CO3)或碳酸钾(K2CO3)。
4、根据权利要求1所述的一种用于单晶硅绒面制备的碳酸盐和苛性碱的混合溶液,其特征在于所述的苛性碱为氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)。
5、根据权利要求1所述的一种用于单晶硅绒面制备的碳酸盐和苛性碱的混合溶液,其特征在于所述的碳酸盐的浓度在1-40wt%之间;苛性碱的浓度在0.5-5wt%之间;异丙醇的浓度在2-8wt%之间。
6、根据权利要求1所述的一种用于单晶硅绒面制备的碳酸盐和苛性碱的混合溶液,其特征在于它适用于P型单晶硅片,也适用于N型单晶硅片。
7、根据权利要求1所述的一种用于单晶硅绒面制备的碳酸盐和苛性碱的混合溶液,其特征在于当它应用于连续的、大规模工业化生产时,每一批硅片反应后,在对下一批硅片进行制绒前,需要补充一定量的苛性碱,其量为:每硅片补充0.4-0.8g;碳酸盐不需要补充;而异丙醇的补充量要视其挥发情况而定,其量为:每硅片补充1-6mL。
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