[发明专利]单级可升压逆变器

权利要求书

1.一种单级升压逆变器的电路拓扑结构，其特征在于，其主电路包括：一只具有耦合绕组(L1，L2)的升压电感，原边绕组(L1)的一端与直流电源正极连接，另一端串联一只反向阻断二极管(D)，连接到副边绕组(L2)的一端并和逆变桥(B)的直流母线正端连接，副边绕组(L2)的另一端与电容(C)正极相串联，电容(C)负极与逆变桥(B)的直流母线负端连接的同时，也与电源负极相连；阻断二极管(D)上并联开关管(T)形成能量反馈通道，逆变桥为三相或单相，分别对应三相应用和单相应用。

2.如权利要求1所述的单级升压逆变器的电路拓扑结构，其特征在于，利用逆变器的零矢量状态，使逆变桥(B)的桥臂上下开关管直通，使原边绕组(L1)储能，在非直通时，原边绕组(L1)储能放电，逆变器直流母线电压为副边绕组(L2)电压与电容(C)电压叠加，使得逆变器直流母线电压得到提升，从而获得提升的逆变电压。

3.如权利要求1所述的单级升压逆变器的电路拓扑结构，其特征在于，控制直通零矢量作用时间和具有紧耦合绕组(L1，L2)的升压电感匝数比的设计。