[发明专利]二维氰基桥联配位聚合物及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及分子基磁性材料和储气材料的制备领域，主要涉及一类Hofmann类二维氰基桥联配位聚合物及其制备方法。

背景技术

氰基桥联配位聚合物由于其结构的多样性以及独特的性质引起了国内外的广泛关注，其中以[M’(CN)₄]^2-(M’＝Ni，Pt，Pd)为构筑基元的Hofmann类配位聚合物具有独特的柱层状结构，其自旋转换行为(Spin-Crossover，SCO)和主客体吸附/脱附性质成为近年来研究的热点。{Fe(pyrazine)[M’(CN)₄]}·nH₂O是报道的第一例具有SCO性质的3D Hofmann类配位聚合物(Virginie Niel等，Inorg.Chem.，2001，40：3838-3839)，随后它的储氢性能也被报道(Yan Li等，International Journal ofHydrogen Energy，2007，32：3411-3415)。具有优越SCO性质的Hofmann类配位聚合物还有{Fe(azpy)[(M’(CN)₄)]}·nH₂O(Gloria Agusti′等，Chem.Mater.，2008，20：6721-6732)等。同时，这类配位聚合物非常适用于储气性能及机理的研究(JeffreyT.Culp等，J.Phys.Chem.C，2008，112：7079-7083.Jeffrey T.Culp等，J.Am.Chem.Soc.，2008，130：12427-12434)。

Hofmann类配位聚合物自旋转换和储气性能的研究是近几年的新兴课题，报道的较少，得到单晶结构表征的配位聚合物数量有限。

发明内容

本发明的目的在于提供一种以[M’(CN)₄]^2-(M’＝Ni，Pt，Pd)为构筑基元的Hofmann类配位聚合物材料及其制备方法。

本发明的技术方案为：一种二维氰基桥联配位聚合物，通式为：M(DMF)₂[M’(CN)₄]，其中，M＝Fe，Zn，Cd；M’＝Ni，Pt，Pd。二级结构单元为：晶体属单斜晶系，空间群为C2/m，中心M和M’原子分别处于六配位的八面体和四配位的平面四方配位环境之中，M和M’原子通过氰基相连形成二维波浪型层状结构。

所述的二维氰基桥联配位聚合物，当M＝Fe，M’＝Ni时，分子式为Fe(DMF)₂[Ni(CN)₄]，二级结构单元为：晶体属单斜晶系，空间群为C2/m，晶胞参数：a＝15.657(3)b＝7.4822(1)c＝6.8273(1)α＝γ＝90°，β＝110.632(2)°，中心Fe和Ni原子分别处于六配位的八面体和四配位的平面四方配位环境之中，Fe和Ni原子通过氰基相连形成二维波浪型层状结构。

当M＝Zn，M’＝Ni时，分子式为Zn(DMF)₂[Ni(CN)₄]，二级结构单元为：晶体属单斜晶系，空间群为C2/m，晶胞参数：a＝15.750(3)b＝7.4355(1)c＝6.8302(1)α＝γ＝90°，β＝110.196(2)°，中心Zn和Ni原子分别处于六配位的八面体和四配位的平面四方配位环境之中，Zn和Ni原子通过氰基相连形成二维波浪型层状结构。

当M＝Cd，M’＝Ni时，分子式为Cd(DMF)₂[Ni(CN)₄]，二级结构单元为：晶体属单斜晶系，空间群为C2/m，晶胞参数：a＝16.9010(1)b＝7.968(3)c＝7.3930(1)α＝γ＝90°，β＝111.714(1)°，中心Cd和Ni原子分别处于六配位的八面体和四配位的平面四方配位环境之中，Cd和Ni原子通过氰基相连形成二维波浪型层状结构。

当M＝Fe，M’＝Pt时，分子式为Fe(DMF)₂[Pt(CN)₄]，二级结构单元为：晶体属单斜晶系，空间群为C2/m，晶胞参数：a＝15.715(2)b＝7.6600(1)c＝7.0346(1)α＝γ＝90°，β＝109.938(2)°，中心Fe和Pt原子分别处于六配位的八面体和四配位的平面四方配位环境之中，Fe和Pt原子通过氰基相连形成二维波浪型层状结构。