[发明专利]单晶硅太阳电池绒面上pn结杂质浓度分布的测量方法

权利要求书

1.一种单晶硅太阳电池绒面上pn结杂质浓度分布的测量方法，其特征是：包括下列步骤：

(1)把具有金字塔绒面的扩散后单晶硅片作为测量对象：将单晶原硅片用碱腐蚀液制绒得到金字塔绒面，将制绒后的硅片酸洗后扩散，并用HF酸清洗掉磷硅玻璃，测量此时硅片的薄层电阻并称重；

(2)室温下在硅片上电化学生长氧化层，用HF酸腐蚀掉氧化层，并在清洁干燥表面上用四探针法测量薄层电阻；重复多次上述氧化、腐蚀、称重和薄层电阻测量，观察每次表面层上薄层电阻变化，若发现逐渐变大的电阻突然变小，则pn结就在此表面的位置上；

(3)通过硅片腐蚀前后重量差得到每次氧化腐蚀深度，通过每次测得的薄层电阻换算得到相应杂质浓度，从而获得扩散层纵向杂质分布的真实情况，并制得反映杂质浓度分布情况的杂质浓度分布曲线。

2.根据权利要求1所述的单晶硅太阳电池绒面上pn结杂质浓度分布的测量方法，其特征是：所述的电化学方法是采用阳极氧化法，即以待测硅片为阳极，以石墨棒为阴极，电解液为硼砂溶液，电源为50V的直流电源。

3.根据权利要求1所述的一种单晶硅太阳电池绒面上pn结杂质浓度分布的测量方法，其特征是：扩散层面积即金字塔表面积等于硅片面积乘面积因子，面积因子采用彩色3D激光显微镜或原子力显微镜测量确定。