[发明专利]一种多晶硅硅棒的生产方法有效
| 申请号： | 200910183451.2 | 申请日： | 2009-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101654249A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 田新;梁强;陈明元 | 申请（专利权）人： | 江苏中能硅业科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所（普通合伙） | 代理人： | 肖明芳 |
| 地址： | 221004江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅硅棒 生产 方法 | ||
1.一种多晶硅硅棒的生产方法，其特征在于该方法包括如下步骤：
(1)还原炉反应器内，当硅芯表面温度1100～1250℃时，通入氢气和三氯氢硅反应30～45h；三氯氢硅初始流量80～90Nm3/h，以1～2Nm3/h的速度匀速增加至220Nm3/h，之后维持恒定，直至还原炉反应器停炉；氢气流量维持在80～120Nm3/h；
(2)当硅芯生长到直径50mm时，停止施加电流，调节氢气流量至170～250Nm3/h，继续反应3～10h；
(3)待硅棒表面温度降至1000～1050℃，恢复施加电流，同时将氢气流量调至100～150Nm3/h，用40～45h将硅棒表面温度升至1080～1100℃，再维持30h；
(4)停止施加电流，调节氢气流量至300～400Nm3/h，反应2～6h；
(5)待硅棒表面温度降至970～1020℃，调节氢气流量至180～250Nm3/h，同时施加电流，用40～50h将硅棒表面温度升至1050～1080℃，然后维持氢气流量和温度至还原炉反应器停炉。
2.根据权利要求1所述的多晶硅硅棒的生产方法，其特征在于步骤(1)中，硅芯直径为5～8mm。
3.根据权利要求1所述的多晶硅硅棒的生产方法，其特征在于步骤(1)中，当硅芯表面温度1100℃时，通入氢气反应35h，氢气流量100Nm3/h。
4.根据权利要求1所述的多晶硅硅棒的生产方法，其特征在于步骤(2)中，当硅芯生长到直径50mm时，停止施加电流，调节氢气流量至200Nm3/h，继续反应6h。
5.根据权利要求1所述的多晶硅硅棒的生产方法，其特征在于步骤(3)中，待硅棒表面温度降至1020℃，恢复施加电流，同时将氢气流量调至120Nm3/h，用45h将硅棒表面温度升至1080℃，再维持30h。
6.根据权利要求1所述的多晶硅硅棒的生产方法，其特征在于步骤(4)中，停止施加电流，调节氢气流量至350Nm3/h，反应3h。
7.根据权利要求1所述的多晶硅硅棒的生产方法，其特征在于步骤(5)中，待硅棒表面温度降至1000℃，调节氢气流量至180Nm3/h，同时施加电流，用45h将硅棒表面温度升至1060℃，然后维持氢气流量和温度至还原炉反应器停炉。
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