[发明专利]一种柔性薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种柔性薄膜晶体管，包括：基片、绝缘层、栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述基片为电铸形成的金属箔片。

2.根据权利要求1所述的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述基片的材料选自镍、铁、铜、金、银、镍-铁合金、铂镍-钴合金、钴-钨合金。

3.根据权利要求2所述的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述基片的厚度为20μm～700μm。

4.根据权利要求2所述的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述基片的表面粗糙度的Rms值小于10nm。

5.根据权利要求1-4任一所述的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层上还有保护层。

6.根据权利要求5所述的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层的材料为聚合物或无机小分子材料。

7.根据权利要求6所述的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘层的材料为聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚酰亚胺与聚四氟乙烯的混合物、SiOx或SiNx。

8.根据权利要求6或7所述的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述保护层为树脂。

9.根据权利要求8所述的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述保护层为环氧树脂或压克力树脂。

10.根据权利要求9的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述保护层的厚度为500nm-10μm。

11.根据权利要求5的柔性薄膜晶体管，其特征在于，所述保护层用涂布的方法制备。

12.一种制备如权利要求1所述的柔性薄膜晶体管的方法，步骤包括：

(1)电铸形成金属箔片；

(2)形成绝缘层；

(3)依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极；

(4)形成封装层。

13.根据权利要求12所述的制备如权利要求1所述的柔性薄膜晶体管的方法，其特征在于，所述步骤还包括形成绝缘层后制备保护层。