[发明专利]一种多晶硅太阳电池表面织构的制备方法无效
| 申请号： | 200910183867.4 | 申请日： | 2009-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101624700A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 王立建;王栩生;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司;阿特斯光伏电子(常熟)有限公司;阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司;阿特斯光伏科技(苏州)有限公司;常熟阿特斯太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215129江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 太阳电池 表面 制备 方法 | ||
1.一种多晶硅太阳电池表面织构的制备方法，其特征在于：采用酸腐蚀溶液制成，所述酸腐蚀溶液由氢氟酸、氧化剂和改性剂组成；所述氢氟酸的浓度范围为13～17摩尔/升；所述氧化剂为高锰酸钾溶液，浓度范围为0.01～0.5摩尔/升；所述改性剂为亚硝酸钠，浓度范围为0.05～0.2摩尔/升；腐蚀温度为10～30℃，酸腐蚀时间为10～45分钟。
2.根据权利要求1所述的多晶硅太阳电池表面织构的制备方法，其特征在于：在酸腐蚀时，把多晶硅浸泡在该酸腐蚀溶液里。
3.根据权利要求1所述的多晶硅太阳电池表面织构的制备方法，其特征在于：多晶硅片经过酸腐蚀溶液腐蚀后，表面形成3～5微米的表面织构。
4.根据权利要求1所述的多晶硅太阳电池表面织构的制备方法，其特征在于：被腐蚀的多晶硅片的厚度为5～10微米。
5.根据权利要求1所述的多晶硅太阳电池表面织构的制备方法，其特征在于：该多晶硅太阳电池表面织构是在对损伤层的清洗过程中完成的。
6.根据权利要求1所述的多晶硅太阳电池表面织构的制备方法，其特征在于：在表面织构完成之后，将多晶硅片浸NaOH溶液中清洗10～120秒。
7.根据权利要求6所述的多晶硅太阳电池表面织构的制备方法，其特征在于：所述NaOH溶液的质量浓度为0.5～2％。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司;阿特斯光伏电子(常熟)有限公司;阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司;阿特斯光伏科技(苏州)有限公司;常熟阿特斯太阳能电力有限公司，未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司;阿特斯光伏电子(常熟)有限公司;阿特斯太阳能光电(苏州)有限公司;阿特斯光伏科技(苏州)有限公司;常熟阿特斯太阳能电力有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910183867.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
