[发明专利]含氯硅烷的氯化氢气体生产高纯度浓盐酸的方法有效
申请号: | 200910183870.6 | 申请日: | 2009-08-03 |
公开(公告)号: | CN101628710A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 夏俊辉;蒋广生;张鹏;唐洁;芮元庆 | 申请(专利权)人: | 中国石化集团南京设计院 |
主分类号: | C01B7/07 | 分类号: | C01B7/07 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人: | 徐冬涛 |
地址: | 210048江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅烷 氯化氢 气体 生产 纯度 盐酸 方法 | ||
1.一种含氯硅烷的氯化氢气体生产高纯度浓盐酸的方法,其特征在于含氯硅烷的氯化氢气体先进入水解罐,与水解罐中浓盐酸中的水分进行水解反应,除去气体中的氯硅烷,气体再依次经过至少两个串联的降膜吸收器,在降膜吸收器中采用水循环吸收气体中的氯化氢,制成浓盐酸,氯化氢吸收后排放尾气;其中所述的水解罐中的浓盐酸或水循环吸收氯化氢后制得的浓盐酸的质量浓度为31~35%。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述的含氯硅烷的氯化氢气体为西门子法多晶硅生产过程中产生的尾气。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述的水解反应的温度为25~60℃,压力为0.1~0.5MPa。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述的降膜吸收器的数目为两个,经过水解反应后的气体依次经过相互串联的1#降膜吸收器和2#降膜吸收器。
5.根据权利要求1或4所述的方法,其特征在于所述的降膜吸收器的操作温度为25~60℃,操作压力为0.1~0.5MPa。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于在降膜吸收器中水与气体接触、冷却、洗涤气体,循环吸收气体中的氯化氢。
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