[发明专利]提高PTC热敏电阻电性能指标的方法无效
申请号: | 200910184082.9 | 申请日: | 2009-08-13 |
公开(公告)号: | CN101673603A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 王进;周凯 | 申请(专利权)人: | 南通鸿飞电子有限公司 |
主分类号: | H01C7/02 | 分类号: | H01C7/02 |
代理公司: | 南京众联专利代理有限公司 | 代理人: | 卢 霞 |
地址: | 226641江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 ptc 热敏电阻 性能指标 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种提高PTC热敏电阻电性能指标的方法,属于电子元件制造领域。
背景技术
PTC热敏电阻(Positive Temperature Coefficient)是一种典型的具有温度敏感性的半导体电阻,超过一定的温度(居里温度)时,它的电阻值随着温度的升高而呈现阶跃式的增高。
图1是PTC热敏电阻与温度的依赖关系曲线图,即R-T特性曲线图。其中Rmin表示最小电阻,Tmin表示Rmin时的温度,RTc表示2倍Rmin,Tc表示居里温度。电阻-温度特性通常简称阻温特性,指在规定的电压下,PTC热敏电阻零功率电阻与电阻体温度之间的依赖关系。表征阻温特性好坏的重要参数是温度系数α,反映的是阻温特性曲线的陡峭程度,温度系数α越大,PTC热敏电阻对温度变化的反应越灵敏,即PTC效应越显著,其相应的PTC热敏电阻的性能也越好,使用寿命越长。温度系数α=(lgR2-lgR1)/(T2-T1),其中,T2取Tc+15℃,T2取Tc+25℃。
目前的PTC热敏电阻由于技术的局限性,存在有如下技术问题:控温点准确性低、电阻率较高、温度系数α较低,因此PTC热敏电阻性能指标较差,不能满足高端产品对PTC热敏电阻技术参数的要求。
发明内容
本发明的目的是解决现有技术中的上述问题,提供一种提高PTC热敏电阻电性能指标的方法。
本发明的提高PTC热敏电阻电性能指标的方法,包括称量原料、球磨、预烧结、造粒、成型、烧结、上电极、阻值分选、焊接、封装装配、打标志、耐压检测、阻值检测、最终检测、包装这些步骤,其中所说的原料包括碳酸钡、碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅、碳酸锶和二氧化锰溶剂,在预烧结步骤后,再球磨0.5-1.5小时后加入占总重量百分比0.03-0.05%的贵金属材料,继续球磨4-8小时。
优选地,
在预烧结步骤后,再球磨1小时后加入占总重量百分比0.04%的贵金属材料,继续球磨6小时。
所说的贵金属材料为金浆、银浆、钯浆、铂浆、铑浆、钌浆或镍浆中的一种或几种。
更加优选地,
所说的贵金属材料为金浆。
所说的贵金属材料为银浆。
所说的贵金属材料为银浆和钯浆。
所说的贵金属材料为铂浆。
本发明的方法,具有如下技术效果:由于加入了贵金属材料,因此提高了PTC热敏电阻控温点准确性、降低了电阻率、提高了温度系数α,总体提高了PTC热敏电阻的性能指标,能够满足高端产品对PTC热敏电阻技术参数的要求。
附图说明
图1为PTC热敏电阻与温度的依赖关系曲线图。
具体实施方式
下面结合实施例来详细说明本发明的技术方案。
实施例1
本实施例中,提高PTC热敏电阻电性能指标的方法,包括称量原料、球磨、预烧结,在预烧结步骤后,再球磨1小时后加入占总重量百分比0.04%的金浆,继续球磨6小时,再进行造粒、成型、烧结、上电极、阻值分选、焊接、封装装配、打标志、耐压检测、阻值检测、最终检测、包装这些步骤,所用的原料包括碳酸钡、碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅、碳酸锶和二氧化锰溶剂。
实施例2
本实施例中,提高PTC热敏电阻电性能指标的方法,包括称量原料、球磨、预烧结,在预烧结步骤后,再球磨0.5小时后加入占总重量百分比0.03%的银浆,继续球磨4小时,再进行造粒、成型、烧结、上电极、阻值分选、焊接、封装装配、打标志、耐压检测、阻值检测、最终检测、包装这些步骤,所用的原料包括碳酸钡、碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅、碳酸锶和二氧化锰溶剂。
实施例3
本实施例中,提高PTC热敏电阻电性能指标的方法,包括称量原料、球磨、预烧结,在预烧结步骤后,再球磨1.5小时后加入占总重量百分比0.05%的银浆和钯浆,继续球磨8小时,再进行造粒、成型、烧结、上电极、阻值分选、焊接、封装装配、打标志、耐压检测、阻值检测、最终检测、包装这些步骤,所用的原料包括碳酸钡、碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅、碳酸锶和二氧化锰溶剂。
实施例4
本实施例中,提高PTC热敏电阻电性能指标的方法,包括称量原料、球磨、预烧结,在预烧结步骤后,再球磨1小时后加入占总重量百分比0.045%的铂浆,继续球磨5小时,再进行造粒、成型、烧结、上电极、阻值分选、焊接、封装装配、打标志、耐压检测、阻值检测、最终检测、包装这些步骤,所用的原料包括碳酸钡、碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅、碳酸锶和二氧化锰溶剂。
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