[发明专利]一种非晶镧镥氧化物阻变薄膜及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 200910184700.X | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101649443A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 李魁;夏奕东;国洪轩;高旭;殷江;刘治国 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08;H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李纪昌 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非晶镧镥 氧化物 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备非晶镧镥氧化物阻变薄膜材料的方法，其特征在于制备步骤为：
a.镧镥氧化物陶瓷靶材(4)的制备：在将占混合粉末总摩尔量40-60％的La2O3和40-60％的Lu2O3粉末均匀混合后，球磨12-15小时，然后在1200℃-1400℃进行预烧结，再次研磨后在1500℃-1800℃烧结12-18小时，制成镧镥氧陶瓷靶材(4)；
b.将镧镥氧化物陶瓷靶材(4)固定在脉冲激光沉积制膜系统装置生长室(6)中，用真空泵将生长室(6)抽真空到5.0×10-4Pa以下；
c.用电炉丝将衬底台(8)加热至300～500℃；
d.启动激光器(2)，使激光束通过聚焦透镜(3)聚焦在镧镥氧化物陶瓷靶材(4)上，在衬底(1)上沉积厚度为30nm～500nm厚的非晶镧镥氧化物薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备非晶镧镥氧化物阻变薄膜材料的方法，其特征在于步骤c)所述电炉丝将衬底台加热至400℃，衬底(1)材料为Pt/Ti/SiO2/Si(111)。
3.根据权利要求1所述的制备非晶镧镥氧化物薄膜材料的方法，其特征在于沉积的薄膜厚度约为100nm，在室温下为非晶态。
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