[发明专利]太阳能电池无效

申请号：	200910184733.4	申请日：	2009-08-20
公开（公告）号：	CN101635318A	公开（公告）日：	2010-01-27
发明（设计）人：	姚华文;张宏勇	申请（专利权）人：	江苏华创光电科技有限公司
主分类号：	H01L31/042	分类号：	H01L31/042;H01L31/06
代理公司：	南京苏高专利商标事务所（普通合伙）	代理人：	柏尚春
地址：	214213江苏省宜兴市***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	太阳能电池
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【权利要求书】：

1、一种太阳能电池，其特征在于，包括N型单晶硅材料为基底(35)，在基底(35)一侧依次生长本征非晶硅薄膜(34)、P型氢化非晶硅薄膜(33)以及第一ITO薄膜(32)，在第一ITO薄膜(33)上设置有第一集电极(31)，在基底(35)另一侧依次生长i型GeSi薄膜(36)、N型a-Si:H薄膜(37)以及第二ITO薄膜(38)，在第二ITO薄膜(38)上设置有第二集电极(39)。

2、根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述i型GeSi薄膜(36)为i型非晶GeSi薄膜或者i型的微晶GeSi薄膜。

3、根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述N型单晶硅材料的基底(35)为厚度为150～300μm，电阻率为1Ω·cm，取向为100的晶体硅。

4、根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述N型a-Si:H薄膜(37)的厚度为3～250nm。

5、根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述P型氢化非晶硅薄膜(33)厚度为5nm。

6、根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一ITO薄膜(33)和第二ITO薄膜(38)厚度为100nm。

7、根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一集电极(31)和第二集电极(39)为梳形电极。

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