[发明专利]硅衬底GaN基半导体材料的制造方法在审
| 申请号： | 200910186565.2 | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101719465A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 江风益;方文卿;郑畅达;莫春兰;王立 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 gan 半导体材料 制造 方法 | ||
1.一种硅衬底GaN基半导体材料的制造方法，包括：
在专门用于生长氮化铝缓冲层的第一个MOCVD的反应室内，在硅衬底上 生成氮化铝缓冲层，完成后取出，形成硅衬底氮化铝模板备用；
将上述备用的硅衬底氮化铝模板放入专门用于生长GaN基半导体材料的第 二个MOCVD的反应室内外延GaN基半导体材料，完成后取出，形成硅衬底 GaN基半导体材料。
2.根据权利要求1所述的硅衬底GaN基半导体材料的制造方法，其特征在 于：先在第一个MOCVD的反应室内，先清除硅衬底上的有机污染物和吸附的 氧原子，然后再进行氮化铝缓冲层的生长。
3.根据权利要求1所述的硅衬底GaN基半导体材料的制造方法，其特征在 于所述在硅衬底上生成氮化铝缓冲层的过程包括：
先通入有机金属铝源在硅衬底上铺铝，在硅表面均匀沉淀一层铝金属，同 时通入铝源和氨气进行反应，在硅衬底上沉淀生成氮化铝缓冲层。
4.根据权利要求3所述的硅衬底GaN基半导体材料的制作方法，其特征在 于：所述有机金属铝源为三甲基铝。
5.根据权利要求1所述的硅衬底GaN基半导体材料的制造方法，其特征在 于所述在硅衬底上生成氮化铝缓冲层的过程包括：
先通入氨气；
然后再通入铝源和氨气反应，在硅衬底上沉淀生成氮化铝缓冲层。
6.根据权利要求1所述的硅衬底GaN基半导体材料的制造方法，其特征在 于：在所述硅衬底上生长单层氮化铝缓冲层或者在不同的生长参数下的多层氮 化铝缓冲层。
7.根据权利要求1所述的硅衬底GaN基半导体材料的制造方法，其特征在 于：所述氮化铝缓冲层的生长温度在500～1000摄氏度。
8.根据权利要求1所述的硅衬底GaN基半导体材料的制造方法，其特征在 于：所述氮化铝的厚度在200～2000埃。
9.根据权利要求8所述的硅衬底GaN基半导体材料的制造方法，其特征在 于：所述氮化铝的厚度在600～800埃。
10.根据权利要求1或2所述的硅衬底GaN基半导体材料的制造方法，其 特征在于：先对硅衬底进行刻槽构图，然后再放入MOCVD的反应室内。
11.根据权利要求1所述的硅衬底GaN基半导体材料的制造方法，其特征 在于：在硅衬底上生成氮化铝缓冲层过程中，先进行高压生长，后进行低压生 长。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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