[发明专利]用于半导体制成中的喷胶处理装置无效

专利信息
申请号: 200910187469.X 申请日: 2009-09-18
公开(公告)号: CN102020234A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 汪明波 申请(专利权)人: 沈阳芯源微电子设备有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81C3/00;B05B13/02;B05B13/04;B05B17/06;B05C5/00;B05C13/02
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 张志伟
地址: 110168 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体 制成 中的 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种用于半导体制成中的喷胶处理装置,其特征在于:该喷胶处理装置的单元基面上方设有直线执行器,直线执行器上安装用于对晶圆喷胶的喷嘴,单元基面上设有用于放置晶圆的载片台。

2.按照权利要求1所述的喷胶处理装置,其特征在于:单元基面上还设有保护杯罩,载片台设置于保护杯罩内侧。

3.按照权利要求2所述的喷胶处理装置,其特征在于:晶圆底部设置真空吸盘,真空吸盘位于载片台的中心位置。

4.按照权利要求2所述的喷胶处理装置,其特征在于:在保护杯罩所在的单元基面下方,连有排气管道。

5.按照权利要求1所述的喷胶处理装置,其特征在于:在载片台内设有加热装置,加热装置的连线与载片台轴上安装的导电滑环连接,加热装置的温度控制在50-110℃范围内。

6.按照权利要求1所述的喷胶处理装置,其特征在于:在单元基面的下方,设有旋转电机,旋转电机的输出轴与用于安装载片台的载片台轴通过同步带连接,使载片台转动的角度控制在30°、45°、90°或180°。

7.按照权利要求1所述的喷胶处理装置,其特征在于:在单元基面的下方,设有气缸,气缸与可沿载片台上的开孔升降的支架连接。

8.按照权利要求1所述的喷胶处理装置,其特征在于:喷嘴采用超声波雾化喷嘴,超声波雾化喷嘴的内部要附加具有压力的气体,加压到雾化颗粒上,气体为N2或者是压缩空气,压力控制在0.5-2巴范围内。

9.按照权利要求1所述的喷胶处理装置,其特征在于:直线执行器采用可以沿横向和纵向两个方向扫描移动的双轴型直线执行器。

10.按照权利要求1所述的喷胶处理装置,其特征在于:调整直线执行器的移动距离和移动速度,控制超声波雾化喷嘴在晶圆上面的运行路径,调整直线执行器的移动速度控制在50-130mm/s,扫描间距控制在3-10mm,超声波雾化喷嘴距离晶圆的高度控制在10-30mm。

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