[发明专利]高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液及制备方法无效
申请号: | 200910187630.3 | 申请日: | 2009-09-27 |
公开(公告)号: | CN101671527A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 侯军;吕冬;程宝君;吴聪 | 申请(专利权)人: | 大连三达奥克化学股份有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;C23F3/04 |
代理公司: | 大连非凡专利事务所 | 代理人: | 闪红霞 |
地址: | 116023辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 去除 损伤 化学 机械抛光 制备 方法 | ||
1.一种高去除率、低损伤的铜化学机械抛光用抛光液,其特征在于由磨料、络合剂、成膜剂、分散剂、氧化剂及纯水混合后再用KOH或HNO3调节pH值至1.0~7.0,各原料的质量百分比为:
磨料 0.1%~20%
络合剂 0.1%~2%
成膜剂 0.01%~2%
分散剂 0.1%~3%
氧化剂 0.01%~10%
纯水 小于或等于90%。
2.根据权利要求1所述的高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液,其特征在于:所述的磨料为SiO2、Al2O3或表面覆盖铝SiO2的水溶胶颗粒中的至少一种。
3.根据权利要求1或2所述的高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液,其特征在于:所述磨料的粒径为20~150nm。
4.根据权利要求3所述的高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液,其特征在于:所述络合剂为乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、次氮基三乙酸及其铵盐或钠盐中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液,其特征在于:所述成膜剂为阴离子表面活性剂与苯并三氮唑或苯并三氮唑衍生物组成的混合物,阴离子表面活性剂与苯并三氮唑或苯并三氮唑衍生物的重量比值为0.1~10。
6.根据权利要求5所述的高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液,其特征在于:所述阴离子表面活性剂为烷基硫酸铵盐、烷基磺酸铵盐或烷基苯磺酸铵盐中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液,其特征在于:所述分散剂为脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚嵌段聚醚非离子表面活性剂、聚乙烯醇与聚苯乙烯嵌段共聚物、聚丙烯酸及其盐、聚乙二醇、聚乙烯亚胺或季铵盐型阳离子表面活性剂中的至少一种。
8.根据权利要求7所述的高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液,其特征在于:所述氧化剂为过氧化氢、过氧化脲、过氧乙酸或过硫酸铵中的至少一种。
9.一种如权利要求1所述高去除率、低损伤的铜化学机械抛光液的制备方法,其特征在于:将磨料加入搅拌器中,在搅拌下按质量百分比加入纯水及其它组分并搅拌均匀,用KOH或HNO3调节pH值为1.0~7.0,继续搅拌至均匀,静止30min即可。
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