[发明专利]基于体硅加工技术的电热驱动微夹钳制作方法无效
申请号: | 200910187860.X | 申请日: | 2009-10-11 |
公开(公告)号: | CN101695992A | 公开(公告)日: | 2010-04-21 |
发明(设计)人: | 褚金奎;张然;刘帅;张成;王文静 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 关慧贞 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 加工 技术 电热 驱动 夹钳 制作方法 | ||
1.一种基于体硅加工技术的电热驱动微夹钳制作方法,其特征是,采用体硅加工技术制作出具有较大深宽比微结构的电热驱动微夹钳,包括以下步骤:
(1)预处理:先对硅片(1)进行清洗,再氧化生成氧化层(2)即二氧化硅;
(2)光刻释放窗口图形:使用光刻胶(3),在硅片下表面上光刻释放窗口图形;
(3)使用湿法刻蚀工艺刻蚀下表面二氧化硅:首先在硅片上表面涂一层光刻胶以保护上表面二氧化硅,然后使用氢氟酸去除硅片下表面未被光刻胶保护的二氧化硅,最后使用去胶液去除光刻胶;
(4)光刻钳体图形:使用光刻胶,在硅片上表面上光刻微夹钳图形;
(5)使用自感耦合等离子刻蚀工艺刻蚀上表面二氧化硅:使用自感耦合等离子刻蚀工艺去除硅片上表面未被光刻胶保护的二氧化硅,然后使用去胶液去除光刻胶;
(6)使用自感耦合等离子刻蚀工艺刻蚀释放窗口:使用自感耦合等离子刻蚀工艺刻蚀硅片下表面未被二氧化硅保护的释放窗口,刻蚀深度为硅片厚度与微夹钳厚度之差;
(7)使用自感耦合等离子刻蚀工艺刻蚀钳体:使用自感耦合等离子刻蚀工艺刻蚀硅片上表面未被二氧化硅保护的钳体;
(8)去除表面二氧化硅:用氢氟酸去除硅片表面二氧化硅;
(9)溅射金属电极:将带有电极图形的模具(4)作为掩蔽,在硅片上表面电极位置先溅射金属钛或铬(5),然后溅射金属铜(6),完成硅微夹钳(7)的制作。
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