[发明专利]一种GaN基发光二极管外延片及其生长方法在审
| 申请号： | 200910188007.X | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102044598A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 芦玲;郭文平;杨天鹏;陈向东;肖志国 | 申请（专利权）人： | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 116025 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
1.一种GaN基发光二极管外延片，其结构从下至上依次包括：衬底，低温缓冲层，非掺杂GaN层，n型GaN层，多量子阱层，p型GaN层和电极接触层，其特征在于所述的p型GaN层包括第一p型GaN层和第二p型GaN层，所述的第一p型氮化镓层的厚度为30～60nm，所述的第二p型氮化镓层的厚度为150～300nm。
2.如权利要求1所述的GaN基发光二极管外延片，其特征在于所述的第一p型GaN层的厚度为30～50nm。
3.如权利要求书1或2所述的GaN基发光二极管外延片的生长方法，采用金属有机化合物化学气相沉积方法，从下至上的生长步骤为：
1)在1100℃～1200℃下，H2的气氛中高温净化蓝宝石衬底3～10分钟；
2)降温至530～570℃，反应室压力在300mbar～700mbar，生长20～50nm厚度的低温GaN缓冲层；
3)升温至1170℃～1190℃，生长压力在100mbar～700mbar生长1.3～1.8μm厚度的非掺杂GaN层；
4)将温度调节至1170℃～1190℃，生长压力在100mbar～700mbar生长1.5～2μm厚度的n型GaN层；
5)将温度调节至700～800℃，生长压力在100mbar～500mbar生长5个周期的InGaN/GaN的多量子阱层，其中InGaN量子阱厚度在1nm～3nm之间，GaN垒厚度在10nm～20nm之间，量子阱数目在2～15个之间；
6)生长p型GaN层；
7)将温度调节至950℃，生长压力在50mbar，生长厚度在10nm～30nm的高掺杂p型氮化镓电极接触层；
8)降温至室温，生长结束；
其特征在于，步骤6)分为两步，首先在700～850℃的温度，在50mbar～500mbar的压力下，生长第一p型GaN层；接着在950～1100℃的温度下，在50mbar～600mbar的压力，生长第二p型GaN层；然后再进行步骤7)和步骤8)。
4.如权利要求3所述的GaN基发光二极管外延片的生长方法，其特征在于在780～800℃的温度下，生长第一p型GaN层。
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