[发明专利]半导体纳米结构

权利要求书

1.一种半导体纳米结构，其特征在于，其包括：一基底及至少一个脊部，该基底包括一第一晶面及垂直于该第一晶面的第二晶面，所述至少一个脊部从所述基底中的第一晶面开始沿所述第二晶面的晶面取向延伸出。

2.如权利要求1所述的半导体纳米结构，其特征在于，所述第一晶面的晶面取向为(110)，所述第二晶面的晶面取向为(001)。

3.如权利要求1所述的半导体纳米结构，其特征在于，所述第一晶面的晶面取向为(001)，所述第二晶面的晶面取向为(110)。

4.如权利要求2或3所述的半导体纳米结构，其特征在于，所述脊部的一半高度处的截面宽度小于10纳米。

5.如权利要求2所述的半导体纳米结构，其特征在于，所述脊部进一步掺杂有一掺杂原子，该掺杂原子为硼、铟或镓。

6.如权利要求3所述的半导体纳米结构，其特征在于，所述脊部进一步掺杂有一掺杂原子，该掺杂原子为磷、砷或锑。

7.如权利要求2或3所述的半导体纳米结构，其特征在于，所述半导体纳米结构包括多个脊部，该多个脊部沿所述基底的长度方向连续地间隔设置，该相邻的两个脊部之间定义为一沟道。

8.如权利要求7所述的半导体纳米结构，其特征在于，所述基底由多个原子层层叠形成。

9.如权利要求8所述的半导体纳米结构，其特征在于，所述沟道的宽度大于10个基底材料原子层。

10.如权利要求8所述的半导体纳米结构，其特征在于，所述基底的厚度为5个所述基底材料原子层～15个所述基底材料原子层的厚度。

11.如权利要求10所述的半导体纳米结构，其特征在于，所述基底和脊部的材料为硅。

12.如权利要求1所述的半导体纳米结构，其特征在于，该半导体纳米结构进一步包括一设置于该半导体纳米结构脊部及沟道表面的保护层。

13.如权利要求12所述的半导体纳米结构，其特征在于，所述保护层由多个氢原子组成。

14.一种半导体纳米结构，其特征在于，其包括：一基底及至少一脊部，该基底包括一第一晶面及垂直于该第一晶面的第二晶面，所述至少一个脊部从所述基底中的第一晶面开始沿所述第二晶面的晶面取向延伸出，该基底的材料为硅，该脊部的材料由硅及均匀分散于该硅中的多个P型掺杂原子组成，该第一晶面的晶面取向为(110)，该第二晶面的晶面取向为垂直于该第一晶面取向的(001)，该脊部的一半高度处截面的宽度小于10纳米。

15.如权利要求14所述的半导体纳米结构，其特征在于，所述半导体纳米结构包括多个脊部，该相邻的两个脊部之间定义为一沟道，该沟道的宽度大于10个所述基底材料的原子层。

16.一种半导体纳米结构，其特征在于，其包括：一基底及至少一脊部，该基底包括一第一晶面及垂直于该第一晶面的第二晶面，所述至少一个脊部从所述基底中的第一晶面开始沿所述第二晶面的晶面取向延伸出，该基底的材料为硅，该脊部的材料由硅及均匀分散于该硅中的多个N型掺杂原子组成，该第一晶面的晶面取向为(001)，该第二晶面的晶面取向为垂直于该第一晶面取向的(110)，该脊部的一半高度处截面的宽度小于10纳米。

17.如权利要求16所述的半导体纳米结构，其特征在于，所述半导体纳米结构包括多个脊部，该相邻的两个脊部之间定义为一沟道，该沟道的宽度大于10个所述基底材料的原子层。