[发明专利]双多晶结构器件及其制造方法

权利要求书

1.一种双多晶结构器件的制造方法，包括以下步骤：

在衬底上形成阱和有源区，并热生长场氧层；

热氧化生长第一栅氧层；

淀积第一多晶硅层；

采用等离子注入形成多晶硅电阻；

通过等离子注入形成多晶硅电容下极板和第一栅极，并蚀刻掉多余的第一多晶硅层；

对所述双多晶结构器件进行热处理；

热氧化生长第二栅氧层，并生长绝缘介质；

阈值调整注入；

淀积第二多晶硅层；

通过等离子注入形成多晶硅电容上极板和第二栅极，并蚀刻掉多余的第二多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的双多晶结构器件的制造方法，其特征在于：所述第一栅氧层的厚度为6nm～200nm。

3.根据权利要求1所述的双多晶结构器件的制造方法，其特征在于：所述生长绝缘介质，是在热氧化生长第二栅氧层的同时在多晶硅电容下极板上进行热生长。

4.根据权利要求3所述的双多晶结构器件的制造方法，其特征在于：所述绝缘介质是二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的双多晶结构器件的制造方法，其特征在于：所述阈值调整注入是不需要光刻，直接进行的。

6.一种双多晶结构器件，包括衬底，衬底表面的第一栅氧层、第二栅氧层、场氧层，第一栅氧层上的第一栅极，第二栅氧层上的第二栅极，场氧层上的多晶硅电阻、多晶硅电容下极板，多晶硅电容下极板表面的绝缘介质，绝缘介质上的多晶硅电容上极板；其特征在于，所述多晶硅电容下极板、多晶硅电阻和第一栅极采用同一多晶硅层形成，所述多晶硅电容上极板和第二栅极采用同一多晶硅层形成。

7.根据权利要求6所述的双多晶结构器件，其特征在于：所述第一栅氧层和第二栅氧层是在不同的步骤中生长的。

8.根据权利要求7所述的双多晶结构器件，其特征在于：所述第一栅氧层的厚度为6nm～200nm。