[发明专利]一种基于LDO集成电路的稳压电路有效

专利信息
申请号: 200910188752.4 申请日: 2009-12-09
公开(公告)号: CN101763129A 公开(公告)日: 2010-06-30
发明(设计)人: 周明杰;叶浩 申请(专利权)人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 郭伟刚
地址: 518052 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 ldo 集成电路 稳压 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种DC-DC降压处理电路,更具体地说,涉及一种基于LDO 集成电路的稳压电路。

背景技术

在照明领域的应急照明方向中,大量使用到电池和单片机。而如何直接从 电池上引电到单片机的供电端是一个不可避免的问题。在高压降条件下(如电 池电压为12V,单片机电压为3.3V则压降高达8.7V)如何保证输出功率更是 一个难题。

现有的方案一般是采用一块LDO(low dropout regulator,低压差线性稳压 器)集成电路直接将电压降到所需范围,同时稳压输出。图1为现有LDO集 成电路的电路原理图。如图1所示,电池端具有高电平VCC,而LDO集成电 路U1的输入端IN连接到高电平VCC并通过第一电容C1接地,输出端OUT 作为输出端VOUT且通过第二电容C2接地,接地端GND接地。输出端VOUT 可以连接到单片机的供电端。

然而,该方案适用于单片机的工作电流比较小的情况。如果单片机工作电 流比较大,输入电压又比较高,则该方案存在致命缺陷。例如:电池电压为 15V,单片机工作电压3.3V、工作电流40mA,LDO集成电路采用Hotek的 HT7533-1,封装为SOT89(温升参数为200℃/W)。那么通过简单的计算可以 知道使用LDO集成电路上的功耗为0.468W,温升为93.6℃。因此现有方案的 LDO集成电路功耗大,温度过高。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于,针对现有LDO集成电路的上述功耗过大 温度过高的缺陷,提供一种基于LDO集成电路的稳压电路。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:在LDO集成电路上增设外 围元件,采用合适参数的三极管和稳压二极管元件对输入电压进行稳压,从而 构造一种基于LDO集成电路的稳压电路。

本发明提供了一种基于LDO集成电路的稳压电路,包括LDO集成电路, 所述LDO集成电路的输入端连接到高电平,并通过第一电容接地,所述LDO 集成电路的输出端作为稳压电路的输出端且通过第二电容接地;其特征在于:

所述稳压电路还包括二极管、第三电容、第一电阻、第二电阻、第一三极 管、第二三极管和稳压二极管,所述二极管的阳极与高电平相连,所述二极管 的阴极与第二三极管的集电极相连;所述二极管的阴极通过所述第三电容接 地;所述第二三极管的发射极与所述LDO集成电路的输入端相连,所述第一 三极管的集电极与所述第二三极管的集电极相连,所述第一三极管的基极通过 所述第一电阻连接到所述第二三极管的集电极,所述第一三极管的发射极通过 所述第二电阻连接到所述第二三极管的基极,所述第一三极管的基极连接到稳 压二极管的阴极,稳压二极管的阳极接地。

实施本发明的基于LDO集成电路的稳压电路,具有以下有益效果:本发 明通过在LDO集成电路输入侧增设合适参数的元件,解决了高电压直流输入, 低电压直流输出情况下LDO集成电路功耗太大,温升太高的问题。同时,其 静态电流也在满足了电池对所有从电池端直接引电的电路静态电流的严格要 求。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明,附图中:

图1是现有LDO集成电路的电路原理图;

图2是本发明基于LDO集成电路的稳压电路一较佳实施例的电路原理 图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实 施例,对本发明进行进一步详细说明。

请参阅图2,为本发明基于LDO集成电路的稳压电路一较佳实施例的电 路原理图。如图2所示,本发明提供的基于LDO集成电路的稳压电路,包括 LDO集成电路U1部分。在本实施例,中LDO集成电路U1采用Hotek的 HT75XX或者HT75XX-1系列的芯片,封装为SOT89。需要说明地是本发明 不仅限于该型号的LDO集成电路,还可以采用其它本领域人员熟知的LDO 集成电路。

其中,所述LDO集成电路U1的输入端IN连接到高电平VCC并通过第 一电容C1接地,输出端OUT作为输出端VOUT且通过第二电容C2接地, 接地端GND接地。第一电容C1和第二电容C2为滤波和储能的作用。

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