[发明专利]双极晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 200910189541.2 | 申请日： | 2009-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102074474A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 胡金节;肖中强;陈正培;李月影;赵英翰;吴孝嘉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 制造 方法 | ||
1.一种双极晶体管的制造方法，包括：
形成CMOS栅极；
在所述栅极上低压沉积正硅酸乙酯层；
进行侧墙软腐蚀工艺，对所述正硅酸乙酯层进行蚀刻并修复蚀刻造成的硅片表面缺陷；
形成CMOS源漏极。
2.根据权利要求1所述的双极晶体管的制造方法，其特征在于：所述侧墙软腐蚀工艺包括主腐蚀工艺和软腐蚀工艺。
3.根据权利要求2所述的双极晶体管的制造方法，其特征在于：所述主腐蚀工艺条件为：四氟化碳、三氟甲烷、氩气流量比为5±1sccm、55±5sccm、150±20sccm，射频功率为550±50w，气体压力为100±10mTorr、磁场强度为30±3高斯，腐蚀最大时间设定80秒。
4.根据权利要求3所述的双极晶体管的制造方法，其特征在于：所述主腐蚀采用终点模式确定主腐蚀终点。
5.根据权利要求3所述的双极晶体管的制造方法，其特征在于：所述主腐蚀工艺对所述正硅酸乙酯层的腐蚀厚度为
6.根据权利要求2或3所述的双极晶体管的制造方法，其特征在于：所述软腐蚀工艺通过增加通入氧气的软轰击步骤来腐蚀受损表面，并钝化受损硅表面。
7.根据权利要求6所述的双极晶体管的制造方法，其特征在于：所述软腐蚀工艺条件为：四氟化碳、氧气流量比为15±2sccm、15±2sccm、射频功率为150±20w、气体压力为100±10mTorr、腐蚀时间为8±3秒。
8.根据权利要求6所述的双极晶体管的制造方法，其特征在于：所述软腐蚀工艺腐蚀时间采用设定模式。
9.根据权利要求1所述的双极晶体管的制造方法，还包括：以所述侧墙软腐蚀工艺对若干带胶假片进行蚀刻，以稳定参数。
10.根据权利要求1所述的双极晶体管的制造方法，其特征在于：所述形成CMOS栅极的步骤包括：
生长栅氧；
形成栅极多晶硅。
11.根据权利要求10所述的双极晶体管的制造方法，其特征在于：所述低压正硅酸乙酯层系沉积于所述栅极多晶硅之上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
