[发明专利]复合型电磁水处理系统

权利要求书

1.一种复合型电磁水处理系统，包括蓄水容器(1)，该蓄水容器(1)出水口与其入水口管路连接，所述蓄水容器(1)出水口与其入水口管路上连接有高压脉冲处理器(3)和高频脉冲处理器(4)，所述高压脉冲处理器(3)的入水口与所述蓄水容器(1)的出水口连接，所述高压脉冲处理器(3)的出水口与所述高频脉冲处理器(4)的入水口连接，该高频脉冲处理器(4)的出水口与所述蓄水容器(1)入水口连接，其特征在于：所述高频脉冲处理器(4)设置有高频脉冲处理腔和高频脉冲信号发生电路，所述高频脉冲处理腔包括圆柱形的高频脉冲处理腔体(8)和金属棒(8a)，该金属棒(8a)安装在高频脉冲处理腔体(8)的中部，且与高频脉冲处理腔体(8)的轴向一致；

所述高频脉冲信号发生电路设置有温度检测电路(9)、磁场检测电路(10)、MCU(11)、通讯接口电路(12)、液晶显示电路(13)和信号发生电路(14)，所述温度检测电路(9)的输出端与所述MCU(11)第一输入端连接，磁场检测电路(10)的输出端与所述MCU(11)第二输入端连接，该MCU(11)的第一输出端与所述信号发生电路(14)输入端连接，该MCU(11)第二输出端与所述液晶显示电路(13)输入端连接，所述MCU(11)还与所述通讯接口电路(12)双向连接。

2.根据权利要求1所述复合型电磁水处理系统，其特征在于：所述蓄水容器(1)出水口与其入水口管道上还连接有水泵(2)。

3.根据权利要求1所述复合型电磁水处理系统，其特征在于：

所述高压脉冲处理器(3)设置有高压脉冲处理腔和高压脉冲信号发生电路，所述高压脉冲处理腔包括圆柱形的高压脉冲处理腔体(5)、正极板(6)和负极板(7)，所述正极板(6)和负极板(7)平行安装在高压脉冲处理腔体(5)内，且与高压脉冲处理腔体(5)轴向平行；

所述高压脉冲信号发生电路设置有变压器，该变压器输入线圈两端接市电，输出线圈与整流桥两输入端连接，该整流桥输出正端与第一电阻的首端连接，该第一电阻的尾端与第一电解电容的正端连接，该第一电解电容的负端接地，所述第一电解电容的正端还与第一IGBT的源极连接，该第一IGBT的栅极连接有控制电路，漏极连接有充氢闸流管的栅极，所述充氢闸流管的阳极与所述正极板连接，阴极接地，该阴极还与所述负极板连接，所述充氢闸流管的阴极热丝正端接低压交流电，阴极热丝负端接地；

所述整流桥输出正端还连接有第二电解电容的正端，该第二电解电容的负端接地。

4.根据权利要求3所述复合型电磁水处理系统，其特征在于：所述控制电路(3a)设置有隔离保护芯片和驱动芯片，该隔离保护芯片的输入正端接正电压，输入负端从外部获取脉冲控制信号，该隔离保护芯片的输出端与所述驱动芯片的输入端连接，该驱动芯片的输出端串第三电阻后与所述第一IGBT的栅极连接。

5.根据权利要求1所述复合型电磁水处理系统，其特征在于：

所述信号发生电路(14)设置有频率选择开关控制电路和高频发生电路，其中频率选择开关控制电路包括晶振和分频芯片，所述晶振高压端接正电压，低压端接地，该晶振的输出端与所述分频芯片的第一时钟信号端连接，所述分频芯片还设置有第一触发输入端和第二时钟信号端，所述第一触发输入端和第二时钟信号端分别接收所述MCU(11)输出的控制信号，所述分频芯片还设置有第一触发端与第一反向触发输入端连接，第二触发端与第二反向触发输入端连接，所述分频芯片的驱动信号输出端与所述高频发生电路的驱动输入端连接；

所述高频发生电路设置有第一三极管和第二三极管，其中第一三极管为NPN型三极管，第二三极管为PNP型三极管，所述第一三极管和第二三极管的基极都与所述分频芯片的驱动信号输出端连接，所述第一三极管的集电极接正电压，发射极与所述第二三极管的发射极连接，该第二三极管的集电极接地，所述第一三极管的发射极还连接有MOSFET高频开关的栅极，该MOSFET高频开关的源极串第三电感后与正电压连接，漏极接地；

所述MOSFET高频开关的源极还连接有第四电感的一端，该第四电感的另一端串第四电阻后与第三电容的一端连接，该第三电容的另一端串第四电容后接正电压。

6.根据权利要求5所述复合型电磁水处理系统，其特征在于：所述第三电容的一端为所述金属棒(8a)，第三电容的另一端为所述高频脉冲处理腔体(8)的内壁。