[发明专利]连铸二冷密闭室铸坯表面温度场测量装置无效

专利信息
申请号: 200910190876.6 申请日: 2009-09-16
公开(公告)号: CN101664794A 公开(公告)日: 2010-03-10
发明(设计)人: 陈登福;欧阳奇;温良英;张健;赵和明;赵立明 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: B22D11/16 分类号: B22D11/16;B22D2/00
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司 代理人: 李海华
地址: 400044重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 连铸二冷 密闭 室铸坯 表面 温度场 测量 装置
【权利要求书】:

1.连铸二冷密闭室铸坯表面温度场测量装置,其特征在于:它包括红 外线阵CCD摄像机(3)、冷却套管(6)和隔热保护套管(7),在隔热保护 套管(7)前端设有耐高温的石英玻璃(2),红外线阵CCD摄像机(3)设于 隔热保护套管(7)内;冷却套管(6)套于隔热保护套管(7)外,冷却套管 (6)与隔热保护套管(7)之间形成气流通道(4);在冷却套管(6)后端和 前端分别设有入口气体分流器(5)和出口气流分离器(9),入口气体分流器 (5)上设有冷却气体入口(11)、冷却气体出口(12)和信号线出口(13), 冷却气体出口(12)对应着气流通道(4),出口气流分离器上设有冷却气体 出口;在出口气流分离器(9)前端设有使气流呈线状横向吹扫至铸坯表面的 导向机构(10);冷却气体通过气流通道(4)后再进入出口气流分离器(9), 在出口气流分离器(9)内进行恒压后,送入导向机构(10),形成扩散型线 状喷射气体流,对成像光路及铸坯表面水膜进行吹扫。

2.根据权利要求1所述的连铸二冷密闭室铸坯表面温度场测量装置, 其特征在于:所述红外线阵CCD摄像机包括CCD探测器,所述CCD探测器 为响应光谱为0.95-1.1μm的硅二极红外探测器线阵阵列。

3.根据权利要求1所述的连铸二冷密闭室铸坯表面温度场测量装置, 其特征在于:所述红外线阵CCD摄像机包括CCD探测器和滤光片,滤光片窄 带中心波长为1.0μm。

4.根据权利要求1或2或3所述的连铸二冷密闭室铸坯表面温度场测 量装置,其特征在于:在石英玻璃(2)侧前方设有清洗机构(1),清洗机构 包括输水管道和位于输水管道尾端且对着石英玻璃的喷水嘴,在输水管道上设 有电磁阀,隔热保护套管内设有通过检测透过石英玻璃的光强信号来判断石 英玻璃污染程度的光强传感器,光强传感器与电磁阀连接。

5.根据权利要求4所述的连铸二冷密闭室铸坯表面温度场测量装置, 其特征在于:在隔热保护套管内设有温度传感器,温度传感器与冷却气体控制 阀连接以调节冷却气体流量,所述温度传感器为热敏电阻。

6.根据权利要求5所述的连铸二冷密闭室铸坯表面温度场测量装置, 其特征在于:所述隔热保护套管(7)由同心、等高的三层构成,红外线阵CCD 摄像机、温度传感器和光强传感器位于最里层隔热保护套管内。

7.根据权利要求6所述的连铸二冷密闭室铸坯表面温度场测量装置, 其特征在于:入口气体分流器(5)上的冷却气体入口(11)和信号线出口(13) 为同一个口。

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