[发明专利]一种基于微小室阵列结构的细胞电融合芯片装置

权利要求书

1.一种基于微小室阵列结构的细胞电融合芯片装置，其特征在于：它由微小室阵 列芯片，外围印制电路板和流路控制模块组成；

所述微小室阵列芯片是以石英为基底层，在石英基底层之上采用微加工技术形成 有金属微电极阵列、多聚物侧壁和多聚物围水栏，金属微电极阵列集成了大量的金属 微电极，金属微电极与多聚物侧壁等高，相对的两金属微电极和相对的两多聚物侧壁 构成一个微小室，微小室也呈阵列排布；多聚物围水栏围绕在整个阵列化微小室之外， 金属微电极阵列有两个端头伸出于多聚物围水栏外，用于和外围印制电路板键合；

所述微小室阵列芯片键合于外围印制电路板上，与印制电路板形成电气连接；

所述流路控制模块覆盖在所述微小室阵列芯片之上，其由PDMS流路控制盖片和 导管构成，在PDMS流路控制盖片的面向微小室阵列芯片一面上形成有与所述阵列化 微小室区域面积相同的储样池，储样池两侧有微通道和进样口、出样口，所述储样池 的底平面与阵列化微小室的顶平面之间留有容细胞流动通过的间隙。

2.根据权利要求1所述的基于微小室阵列结构的细胞电融合芯片装置，其特征在 于：所述的微小室的深度控制在以容纳目标细胞在其内单层排布为限。

3.根据权利要求2所述的基于微小室阵列结构的细胞电融合芯片装置，其特征在 于：所述微小室的深度为15μm，宽度为5～30μm，长度根据目标细胞的大小在10～60 μm间进行调节，保证每个微小室内仅供两个细胞进行融合。

4.根据权利要求2所述的基于微小室阵列结构的细胞电融合芯片装置，其特征在 于：所述微小室结构的深度为15μm，长度为10μm，宽度为20μm，相对电极之间的 距离在10～60μm，相邻微电极间间距为20～40μm。

5.根据权利要求1所述的基于微小室阵列结构的细胞电融合芯片装置，其特征在 于：所述的微小室阵列芯片中的金属微电极材料选择金或铂；构建侧壁的多聚物材料 选用具备绝缘性和生物相容性的聚酰亚胺或聚对二甲苯。

6.根据权利要求1所述的基于微小室阵列结构的细胞电融合芯片装置，其特征在 于：所述外围印制电路板上布置了多个与微小室阵列芯片上的阵列化微小室进行键合 连接的键合点，并分布有与外界电信号进行连接的焊盘。

7.根据权利要求1所述的基于微小室阵列结构的细胞电融合芯片装置，其特征在 于：所述的微通道和储样池的深度均为40μm，进样口与出样口的直径为2mm。

8.根据权利要求1所述的基于微小室阵列结构的细胞电融合芯片装置，其特征在 于：所述外围印制电路板的中央与阵列化微小室区域对应的位置为观察窗。