[发明专利]一种射频功率放大器高低功率合成电路有效
| 申请号： | 200910192107.X | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101656515A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 彭凤雄 | 申请（专利权）人： | 惠州市正源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/189 | 分类号： | H03F3/189;H03F3/20 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 任海燕 |
| 地址： | 516006广东省惠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率放大器 高低 功率 合成 电路 | ||
1.射频功率放大器高低功率合成电路，包括控制电路和受控于控制电路的功率放大器PA1和PA2，其特征在于：所述功率放大器PA1和PA2输入端均与一采用共射共基结构连接且同样受控于控制电路的三极管放大电路连接；
所述三极管放大电路包括三极管Q2、Q3，所述三极管Q2、Q3集电极分别连接功率放大器PA1和PA2输入端，并分别通过电感L1、L2连接电源VCC1、VCC2；三极管Q2、Q3射极相连并通过三极管Q1集电极、Q1的发射极接地，所述三极管Q1基极与输入信号连接；三极管Q2、Q3基极分别通过电阻连接控制电路。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器高低功率合成电路，其特征在于，所述三极管Q2、Q3基极还分别通过电容接地。
3.根据权利要求1或2所述的射频功率放大器高低功率合成电路，其特征在于，所述三极管Q2、Q3集电极与功率放大器PA1和PA2输入端之间分别连接有第二、第四匹配网络。
4.根据权利要求3所述的射频功率放大器高低功率合成电路，其特征在于，所述输入信号通过第一匹配网络连接三极管Q1基极。
5.射频功率放大器高低功率合成电路，包括控制电路和受控于控制电路的功率放大器PA1和PA2，其特征在于：所述功率放大器PA1和PA2输入端均与一采用共源共栅结构连接且同样受控于控制电路的MOS管放大电路连接；
所述MOS放大电路包括MOS管M2、M3，所述MOS管M2、M3漏极分别连接功率放大器PA1和PA2输入端，并分别通过电感L1、L2连接电源VCC1、VCC2；MOS管M2、M3源极相连并通过MOS管M1漏极、M1的源极接地，所述MOS管M1栅极与输入信号连接；MOS管M2、M3栅极分别通过电阻连接控制电路。
6.根据权利要求5所述的射频功率放大器高低功率合成电路，其特征在于，所述MOS管M2、M3栅极还分别通过电容接地。
7.根据权利要求5或6所述的射频功率放大器高低功率合成电路，其特征在于，所述所述MOS管M2、M3漏极与功率放大器PA1和PA2输入端之间分别连接有第二、第四匹配网络。
8.根据权利要求7所述的射频功率放大器高低功率合成电路，其特征在于，所述输入信号通过第一匹配网络连接MOS管栅极。
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