[发明专利]一种粘土粘接制备SiC多孔陶瓷的方法

权利要求书

1.一种粘土粘接制备SiC多孔陶瓷的方法，其特征在于包括原料选择配比、混料造粒、等静压成型及烧成工艺，其中，

在原料选择配比中：

(a)按SiC占70-80wt％，伊利石粘土占7-20wt％，石墨占0-15wt％进行配料，SiC颗粒的粒径在200-450um之间，石墨的粒径在50-250um之间；

在混料造粒、等静压成型中：

(b)在(a)步骤所得的配合料中加入占配料总质量0.1-0.5wt％的聚乙烯醇PVA做成型粘接剂，加入配料总重1-5倍的水为分散介质，装入球磨罐混料；

(c)将步骤(b)所得浆料进行喷雾造粒，造粒料水分含量在2％以下，所获得的颗粒料在模具上成形为坯体，然后在100-400MPa的等静压压机中对坯体进行压制成型；

在烧成工艺中：

(d)将压制成型好的坯体干燥，然后在1300-1500℃的空气气氛下进行烧结。

2.根据权利要求1所述的粘土粘接制备SiC多孔陶瓷的方法，其特征在于伊利石粘土可塑性指标需大于3.5kg/cm，K+Na质量百分比大于6.5％。

3.根据权利要求1所述的粘土粘接制备SiC多孔陶瓷的方法，其特征在于在混料造粒、等静压成型中造粒的颗粒大小是100-500um。

4.根据权利要求1或2或3所述的粘土粘接制备SiC多孔陶瓷的方法，其特征在于以氧化锆为球磨介质，球磨混料是的转速需在10-100转/分钟，球磨时间为0.5-20小时，料球比为1∶1-10。

5.根据权利要求1或2或3所述的粘土粘接制备SiC多孔陶瓷的方法，其特征在于喷雾干燥的干燥温度不超过80℃，需在900-1000℃之间进行中火保温1-10小时。

6.根据权利要求4所述的粘土粘接制备SiC多孔陶瓷的方法，其特征在于喷雾干燥的干燥温度不超过80℃，需在900-1000℃之间进行中火保温1-10小时。

7.根据权利要求6所述的粘土粘接制备SiC多孔陶瓷的方法，其特征在于SiC是α-SiC。

8.根据权利要求7所述的粘土粘接制备SiC多孔陶瓷的方法，其特征在于伊利石粘土，经水洗工艺除去含有的有害石英粗颗粒，并且1um以下颗粒占75％以上。