[发明专利]一种用于LED氮化镓外延层转移的高导热金属基板及其制备方法

权利要求书

1.一种用于LED氮化镓外延层转移的高导热金属基板，包括氮化镓膜层，其特征在于还包括经导电化处理的氮化镓膜层衬底，衬底上镀有多层金属层。

2.权利要求1所述高导热金属基板的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)对有氮化镓膜层的衬底进行导电化处理；

(2)在有氮化镓膜层的衬底表面镀上第一金属层；

(3)在第一金属层表面镀上第二金属层；

(4)交替镀第一金属层和第二金属层若干次，形成多金属层结构；

(5)在多金属层结构表面通过电镀铜加厚；

(6)在铜表面，镀上第三金属层。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于所述衬底为硅衬底、蓝宝石衬底或碳化硅衬底。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于步骤(2)中所述第一金属层为锡、铬、钛、铟、铜、镍、钨或其合金。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于步骤(3)中所述第二金属层为银、金、铜、铝或其合金。

6.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于步骤(4)中交替镀第一金属层和第二金属层的次数为2～6次。

7.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于步骤(5)中通过电镀铜加厚，其厚度在60～150μm。

8.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于步骤(6)中所述第三金属层为金、铂、铑或其合金。

9.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于所述镀所采用的方法为电镀、化学镀、离子镀或物理法溅射。