[发明专利]一种提高晶体管性能的方法无效
| 申请号： | 200910194438.7 | 申请日： | 2009-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101694993A | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 陈天兵;彭树根;曼纽拉·内耶 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 晶体管 性能 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高晶体管性能的方法，包括如下步骤：
选择一电流源；
利用该电流源对该晶体管进行基极电流偏置；
调整该电流源使该晶体管基极产生一中等基极偏置电流。
2.如权利要求1所述的提高晶体管性能的方法，其特征在于，该中等基极偏置电流的大小至少使得该晶体管自热效应产生的VA-SH小于0。
3.如权利要求1所述的提高晶体管性能的方法，其特征在于，该中等基极偏置电流的大小使得该晶体管自热效应产生的欧拉电压VA-SH与基极宽度调制产生的欧拉电压VA-BWM符合|VA-SH|≤|VA-BWM|。
4.如权利要求2或3所述的提高晶体管性能的方法，其特征在于，该中等基极偏置电流的大小使得该晶体管自热效应产生的欧拉电压VA-SH与基极宽度调制产生的欧拉电压VA-BWM符合VA-BWM+VA-SH趋近于0。
5.如权利要求4所述的提高晶体管性能的方法，其特征在于，该晶体管为双极晶体管。
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