[发明专利]接触孔形成方法

权利要求书

1.一种接触孔形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成介质层；

在所述介质层表面形成光刻胶图形；

以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀介质层直至暴露出衬底表面，形成通孔；

去除光刻胶图形；

在介质层表面、通孔侧壁和暴露出的衬底表面形成绝缘层；

去除介质层表面和暴露出的衬底表面的绝缘层，形成接触孔，所述接触孔特征尺寸小于通孔。

2.如权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料选自没有掺杂的硅玻璃、掺杂硼磷的硅玻璃、掺杂硼的硅玻璃、掺杂磷的硅玻璃、氟硅玻璃、碳掺杂的氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化铝以及氮掺杂的碳化硅。

3.如权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述绝缘层是单一的覆层也可以是由多层覆层所形成的堆栈结构。

4.如权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为10埃至300埃。

5.如权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述绝缘层的形成工艺为化学气相沉积工艺或者原子层堆积工艺。

6.如权利要求5所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述形成绝缘层的具体参数为：反应温度为300摄氏度至1000摄氏度，腔室压力为0.1托至4托，反应间距为5毫米至8毫米，功率为200瓦至240瓦，SiH₂Cl₂流量为每分钟100标准立方厘米至每分钟400标准立方厘米，氨气流量为每分钟500标准立方厘米至每分钟1500标准立方厘米。

7.如权利要求1所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述去除介质层表面和暴露出的衬底表面的绝缘层的工艺为等离子体去除工艺。

8.如权利要求7所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述去除介质层表面和暴露出的衬底表面的绝缘层的工艺的具体参数为：刻蚀设备腔体压力为10毫托至50毫托，顶部射频功率为150瓦至250瓦，底部射频功率为150瓦至300瓦，CF₄流量为每分钟20标准立方厘米至每分钟50标准立方厘米，CHF₃流量为每分钟40标准立方厘米至每分钟100标准立方厘米，O₂流量为每分钟10标准立方厘米至每分钟50标准立方厘米。

9.一种接触孔形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底表面形成介质层；

在所述介质层表面形成光刻胶图形；

以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀介质层直至暴露出衬底表面，形成通孔；

去除光刻胶图形；

在介质层表面和通孔侧壁形成绝缘层，形成接触孔，所述包括有绝缘层的接触孔特征尺寸小于通孔。

10.如权利要求9所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述衬底材料选自硅基材料。

11.如权利要求9所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述介质层材料选自SiO₂或者掺杂的SiO₂。

12.如权利要求9所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料选自没有掺杂的硅玻璃、掺杂硼磷的硅玻璃、掺杂硼的硅玻璃、掺杂磷的硅玻璃、氟硅玻璃、碳掺杂的氧化硅、氮化硅、碳化硅、以及氮掺杂的碳化硅。

13.如权利要求9所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料选自氧化铝。

14.如权利要求9所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为10埃至300埃。

15.如权利要求9所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述绝缘层的形成工艺为选择性区域原子层沉积工艺。

16.如权利要求15所述的接触孔形成方法，其特征在于，所述绝缘层形成的具体参数为：反应温度为100摄氏度至1000摄氏度，腔室压力为0.1托至3托，反应间距为2毫米至8毫米，功率为100瓦至1000瓦，Al蒸汽流量为每分钟100标准立方厘米至每分钟400标准立方厘米，H₂O₂蒸汽流量为每分钟500标准立方厘米至每分钟1500标准立方厘米。