[发明专利]制作存储器的字线方法有效
| 申请号： | 200910194567.6 | 申请日： | 2009-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101996938A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 李志国;蒙飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 存储器 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作存储器的字线方法，该方法包括：
在晶圆衬底依次沉积氧氮氧层、多晶硅层、和作为硬掩膜层的氮化硅层及氧化硅层；
在所述氧化硅层上旋涂光刻胶层后光刻，在光刻胶层形成字线图形；
以具有字线图形的光刻胶层为掩膜，依次刻蚀氧化硅层、氮化硅层及多晶硅层，直到在多晶硅层形成字线，光刻胶层和氧化硅层被刻蚀完；
去除多晶硅层上刻蚀剩余的氮化硅层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层的氮化硅层的厚度及氧化硅层的厚度满足2(Tox+TSiN)＜＝2500，0＜＝1700-1/2[2500-2(Tox+TSiN)]-3Tox＜＝2(TSiN-100)要求，其中，Tox为氧化硅层的厚度，TSiN为氮化硅层的厚度。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述多晶硅层的厚度为1700埃时，所述沉积的氮化硅层为300埃，沉积的氧化硅层为200埃～300埃。
4.如权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，所述氧化硅层采用低压化学气相淀积LP-CVD通过正硅酸乙脂TEOS-臭氧的方法沉积得到。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除多晶硅层上刻蚀剩余的氮化硅层采用热磷酸H3PO4。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
