[发明专利]具有光和温度响应性的两亲性嵌段共聚物及其制备方法无效
申请号: | 200910194629.3 | 申请日: | 2009-08-26 |
公开(公告)号: | CN101993518A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 俞燕蕾;冯泽;林里;颜曾 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | C08F293/00 | 分类号: | C08F293/00;C08F220/36;C08F220/54;C08J3/07;C08L53/00 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 包兆宜 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 光和 温度 响应 两亲性嵌段 共聚物 及其 制备 方法 | ||
1.式(a)的两亲性嵌段共聚物:
其中n为5-2500,i为0-500,j为0-500;
X是卤素原子Br或者Cl;R1是H,或者是C1~C18的取代或未取代的烃基,所述的烃基是饱和的或者不饱和的,或上述烃基的衍生物;
R2是C1~C18的取代或未取代的烃基,所述的烃基是饱和的或者不饱和的,或上述烃基的衍生物;
R3是H,或者CH3;
R4是C1~C18的取代或未取代的烃基,所述的烃基是饱和的或者不饱和的,烷氧基、烷硫基、烷氨基、二烷氨基、烷酰基、烷酰氧基、烷酰胺基或烷磺酰基,或上述基团的衍生物,或R4在(a)式中不出现;
R5是H,或者是C1~C18的取代或未取代的烃基,所述的烃基是饱和的或者不饱和的,或烷氧基或是具有极性的端基;
R6是H,或者是CH3;
R7选自以下基团中的一种:
2.一种制备如权利要求1所述的两亲性嵌段共聚物的方法,其特征在于包括如下步骤:
(1)大分子引发剂(d)的合成,反应的方程式为:
(2)嵌段共聚物的合成,以大分子引发剂(d)、具有光响应基团的单体(e)、具有温敏性基团的单体(f)为原料,加入过渡金属卤化物及配体组成的催化剂,选择合适的反应溶剂,设定合适的反应温度和反应时间,制得两亲性嵌段共聚物,其反应的方程式为:
其中,所述大分子引发剂(d)和两单体(e、f)摩尔比是1∶10-1∶1000;
过渡金属卤化物与大分子引发剂(d)的摩尔比是20∶1-1∶20;
配体与过渡金属卤化物摩尔比是20∶1-1∶20;
所述反应时间为0.5h-200h,反应温度为25℃-250℃;
所述反应溶剂选自极性或非极性的有机溶剂中一种或者几种混合。
3.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述反应溶剂选自乙腈、三氯甲烷、丙酮、丁酮、环己酮、四氢呋喃、1,4-二氧六环、苯甲醚、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺及二甲基亚砜中的一种或几种。
4.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,单体e和单体f同时添加到体系中参加反应,得到的疏水链段是无规或交替结构;当先加入其中一种单体,后加入另一种单体,得到的疏水链段是嵌段结构,其中先后加入的两种单体任意选择其中的一种先加或后加。
5.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述的过渡金属卤化物选自铬Cr、铁Fe、镍Ni、铜Cu、钼Mo、钌Ru、铑Rh、钯Pd、铼Re或铱Ir卤化物中的一种或者几种。
6.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述的过渡金属卤化物选自Fe、Ni或Cu卤化物中的一种或几种。
7.如权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述的配体选自含磷或氮的有机物中的一种或者几种。
8.一种制备聚集体材料的方法,以专利CN 101434684的方法为基础,其特征是,再通过蒸馏水透析或者常温挥发的条件下除去有机溶剂,成为纯水体系。其特点是,
9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,所述的聚集体材料其尺寸范围为5nm-200nm,形态均一,为长期稳定的球形胶束聚集体。
10.权利要求8的聚集体材料在具有光响应特性领域中的应用,所述的应用领域包括但不限于光控释放、光催化、光开关或传感领域。
11.如权利要求10所述的聚集体材料的应用,其特征是,在紫外光的照射下聚集体材料发生变形,疏松,解离破坏,当转换成可见光照射时,聚集体材料又恢复到初始状态。
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