[发明专利]红外焦平面封装窗口的金属化方法

权利要求书

1.一种红外焦平面封装窗口的金属化方法，在红外窗口基片上实施，其特征在于：将基片中间的红外薄膜区用掩膜覆盖，四周作为金属化区，置于蒸发设备中；在蒸发设备中装入离子能量低、离子密度高的离子源实现离子辅助，按以下步骤进行金属化：

a、利用离子源清洁基片；

b、在基片的金属化区上蒸镀一层Cr或Ti作为铆定层；

c、在铆定层上蒸镀一层Ni、Pt或Pd作为阻隔层；

d、在阻隔层上蒸镀一层Au作为焊接层。

2.如权利要求1所述的红外焦平面封装窗口的金属化方法，其特征在于：所述的离子源是由纯度99.9％～99.999％的Ar气产生的Ar离子源，离子源功率为60W～1200W，通气量为5～35sccm，工作压强为0.008～0.05Pa。

3.如权利要求1所述的红外焦平面封装窗口的金属化方法，其特征在于：所述的铆定层的沉积速率控制在0.1～2nm/s，阻隔层的沉积速率控制在0.2～2nm/s，焊接层的沉积速率控制在0.1～5nm/s。