[发明专利]化学机械抛光的研磨液供给系统及方法有效
申请号: | 200910194949.9 | 申请日: | 2009-09-01 |
公开(公告)号: | CN102001044A | 公开(公告)日: | 2011-04-06 |
发明(设计)人: | 胡宗福 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | B24B57/02 | 分类号: | B24B57/02;B24B37/04;B24B29/02;H01L21/02 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 谢安昆;宋志强 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学 机械抛光 研磨 供给 系统 方法 | ||
1.一种研磨液供给系统,包括备用池(101)、供给池(102)、过滤装置(103),所述备用池(101)包括出口B,供给池(102)包括入口C和入口D,以及出口E;供给池(102)的入口C和备用池(101)的出口B连接,出口E与过滤装置(103)的入口连接,过滤装置(103)的出口和供给池(102)的入口D连接同一个T形管的两端,而所述T形管的第三端连接CMP机台(104);所述连接均为通过中空导管连接;其特征在于,
所述研磨液供给系统进一步包括注入装置(201)、回流装置(202)和排出装置(203),供给池(102)进一步包括入口F、出口G和出口H,备用池(101)包括入口I;
所述注入装置(201)与入口F连接,用于向供给池(102)中注入清洗液;
所述回流装置(202)分别与出口G与入口I连接,用于将供给池(102)中的研磨液输送到备用池(201)中;
所述排出装置(203)与出口H连接,用于将供给池(102)中的液体排空。
2.根据权利要求1所述的研磨液供给系统,其特征在于,所述回流装置为泵或者中空导管。
3.根据权利要求1或2所述的研磨液供给系统,其特征在于,所述研磨液供给系统进一步包括:
第一计时器,用于计时,当计时长度达到第一预定值时输出第一计时信号;然后计时清零并重启;
控制模块,用于当收到来自所述第一计时器的第一计时信号后,将CMP机台(104)置于空闲状态,并进行如下控制操作:
A1、关闭供给池(102)的入口C,开启回流装置(202);
B1、将供给池(102)中的剩余研磨液都通过回流装置(202)输送到备用池(101)后,关闭回流装置(202);
C1、开启注入装置(201),向供给池(102)中注入预定量的去离子水后关闭注入装置(201);
D1、在注入装置(201)关闭之后,等待预定时长后开启排出装置(203),将供给池(102)中的去离子水完全排空后关闭排出装置(203)。
4.根据权利要求3所述的研磨液供给系统,其特征在于,所述研磨液供给系统进一步包括:
第二计时器,用于计时,当计时长度达到第二预定值时输出第二计时信号;然后计时清零并重启,所述第二预定值大于所述第一预定值;
所述控制模块当收到第二计时信号后,将CMP机台(104)置于空闲状态,并进行如下控制操作:
A2、关闭供给池(102)的入口C,开启回流装置(202);
B2、将供给池(102)中的剩余研磨液都通过回流装置(202)输送到备用池(101)后,关闭回流装置(202);
C2、开启注入装置(201),向供给池(102)中注入预定量的氢氧化钾溶液后关闭注入装置(201);
D2、在注入装置(201)关闭之后,等待预定时长后开启排出装置(203),将供给池(102)中的去离子水完全排空后关闭排出装置(203);
E2、开启注入装置(201),向供给池(102)中注入预定量的去离子水后关闭注入装置(201);等待预定时长后开启排出装置(203),将供给池(102)中的去离子水完全排空后关闭排出装置(203);
F2、判断步骤E2的执行次数是否达到预定数目n,否则再次执行步骤E2,n为大于或等于1的整数。
5.一种清洗研磨液供给系统的方法,所述研磨液供给系统包括备用池(101)、供给池(102)和过滤装置(103),该方法包括如下步骤:
供给池(102)的入口C关闭,将供给池(102)中的剩余研磨液都输送到备用池(101);
向供给池(102)中注入预定量的清洗液;
所述清洗液在供给池(102)、过滤装置(103)以及两者之间的导管内循环流动,对导管内壁进行清洗;
将供给池102中的清洗液完全排空。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述清洗液为氢氧化钾溶液或去离子水。
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