[发明专利]阻挡层的形成方法无效

专利信息
申请号: 200910194955.4 申请日: 2009-09-01
公开(公告)号: CN102005411A 公开(公告)日: 2011-04-06
发明(设计)人: 聂佳相 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 牛峥;王丽琴
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 阻挡 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种阻挡层的形成方法,所述阻挡层形成在连接孔内或者同时形成在沟槽和连接孔内,该方法包括:

依次淀积氮化钽TaN层和钽Ta层,形成由TaN层和Ta层构成的叠层阻挡层,所述叠层阻挡层的厚度在10~50埃;

对连接孔的底部进行物理轰击re-sputter,依次刻蚀连接孔底部的Ta层和TaN层,显露出下层的铜互连线;

将上述形成叠层阻挡层和re-sputter步骤循环执行N次,然后在第N层叠层阻挡层表面及下层铜互连线表面淀积第二Ta层,其中2≤N≤10。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,TaN层在具有金属靶Ta的反应腔内形成,通入反应腔内的气体包括氩气Ar和氮气N2

所述Ar的流量为2~20标准立方厘米每分钟sccm;

所述N2的流量为10~30sccm。

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述反应腔内直流功率为10~30千瓦;射频功率为0~1000瓦。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,Ta层或者第二Ta层在具有金属靶Ta的反应腔内形成,通入反应腔内的气体包括氩气Ar,

所述Ar的流量为2~20sccm。

5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述反应腔内直流功率为10~30千瓦;射频功率为0~1000瓦。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,re-sputter时,通入反应腔内的气体包括Ar,

所述Ar的流量为10~30sccm。

7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述反应腔内直流功率为400~2000千瓦;射频功率为400~1200瓦。

8.如权利要求1至7任一项所述的方法,其特征在于,当N=2时,形成叠层阻挡层的厚度为10~50埃,进行re-sputter时,去除连接孔底部所述叠层阻挡层的厚度在10~40埃。

9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,经过N次循环之后,所述叠层阻挡层经过N次淀积之后的厚度在50~300埃。

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