[发明专利]阻挡层的形成方法无效
| 申请号： | 200910194955.4 | 申请日： | 2009-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102005411A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阻挡 形成 方法 | ||
1.一种阻挡层的形成方法，所述阻挡层形成在连接孔内或者同时形成在沟槽和连接孔内，该方法包括：
依次淀积氮化钽TaN层和钽Ta层，形成由TaN层和Ta层构成的叠层阻挡层，所述叠层阻挡层的厚度在10～50埃；
对连接孔的底部进行物理轰击re-sputter，依次刻蚀连接孔底部的Ta层和TaN层，显露出下层的铜互连线；
将上述形成叠层阻挡层和re-sputter步骤循环执行N次，然后在第N层叠层阻挡层表面及下层铜互连线表面淀积第二Ta层，其中2≤N≤10。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，TaN层在具有金属靶Ta的反应腔内形成，通入反应腔内的气体包括氩气Ar和氮气N2，
所述Ar的流量为2～20标准立方厘米每分钟sccm；
所述N2的流量为10～30sccm。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述反应腔内直流功率为10～30千瓦；射频功率为0～1000瓦。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，Ta层或者第二Ta层在具有金属靶Ta的反应腔内形成，通入反应腔内的气体包括氩气Ar，
所述Ar的流量为2～20sccm。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述反应腔内直流功率为10～30千瓦；射频功率为0～1000瓦。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，re-sputter时，通入反应腔内的气体包括Ar，
所述Ar的流量为10～30sccm。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述反应腔内直流功率为400～2000千瓦；射频功率为400～1200瓦。
8.如权利要求1至7任一项所述的方法，其特征在于，当N＝2时，形成叠层阻挡层的厚度为10～50埃，进行re-sputter时，去除连接孔底部所述叠层阻挡层的厚度在10～40埃。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，经过N次循环之后，所述叠层阻挡层经过N次淀积之后的厚度在50～300埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
