[发明专利]N型金属氧化物半导体的源漏区制造方法无效
| 申请号： | 200910194957.3 | 申请日： | 2009-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102005387A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 居建华;神兆旭 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 谢安昆;宋志强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 源漏区 制造 方法 | ||
1.一种N型金属氧化物半导体的源漏区制造方法，该方法包括：
在硅片的栅极结构两侧的半导体衬底上进行轻掺杂漏注入和口袋注入；所述口袋注入分两次进行，其中一次口袋注入注入的为轻原子量杂质，另一次口袋注入注入的为重原子量杂质；
为栅极结构形成侧墙，并在所述侧墙两侧的半导体衬底上进行源漏注入。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述轻原子量杂质为硼。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，当注入轻原子量杂质时，所述口袋注入所用能量为5～12千电子伏特，所述轻原子量杂质的剂量为每平方厘米上1×1013～1×1014个原子，注入角度为15～45度。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重原子量杂质为铟或锑。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，当注入重原子量杂质时，所述口袋注入所用能量为20～200千电子伏特，所述重原子量杂质的剂量为每平方厘米上5×1011～5×1013个原子，注入角度为15～45度。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述两次口袋注入注入的杂质的原子总数为7×1012～2×1014个。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述重原子量杂质与所述轻原子量杂质的比例为1∶1.5～1∶2.5。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述口袋注入之后，进一步包括：对硅片进行退火。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述退火时的温度为600～1080摄氏度。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述退火时间为0.001秒～10秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
